【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于材料,具体涉及一种超薄tio2纳米线负载的co单原子多相催化材料及其制备与应用。
技术介绍
1、半导体材料在光照下将光能转化为化学能的过程称之为光催化。具体而言,当入射光中光子的能量匹配半导体材料的带隙时,光激发下半导体就会吸收光能并且介导电子跃迁产生光生载流子,通常光生电子会从半导体的价带跃迁到导带上,并且在价带相应位置留下空穴。半导体导带(cb)电子具有+0.5到-1.5 v(vs nhe)的还原电位,常作为光催化还原反应的端口。而半导体价带(vb)空穴则具有+1.0到+3.5 v(vs nhe)的氧化电位,常作为光催化氧化反应的端口。
2、在众多过渡金属氧化物半导体材料中,tio2具有耐腐蚀、无毒、耐用、成本低等优点,受到了研究人员的青睐。作为光催化研究领域最经典的材料,tio2具有半导体特性并且在受光激发后具有出色的氧化还原能力。在过去的20年中,tio2光催化技术的发展非常迅速,在解决各种能源和环境问题的相关领域中扮演着重要的角色,例如太阳能水分裂产h2、在低浓度下分解空气中的污染物和水以及光催化co
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1.一种超薄TiO2纳米线负载的Co单原子多相催化材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
2. 根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤1)所得反应前驱液中聚乙烯吡咯烷酮的含量为3.8 g/50 mL,亚铁氰化钾的含量为0.12 g/50 mL,Ti(SO4)2的含量为0.0682 g/50 mL,所用HCl溶液的浓度为0.1 mol·L-1。
3. 根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤2)中所述加热反应的温度为80℃,时间为24 h。
4. 根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤3)中TiO2和普鲁士蓝
...【技术特征摘要】
1.一种超薄tio2纳米线负载的co单原子多相催化材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
2. 根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤1)所得反应前驱液中聚乙烯吡咯烷酮的含量为3.8 g/50 ml,亚铁氰化钾的含量为0.12 g/50 ml,ti(so4)2的含量为0.0682 g/50 ml,所用hcl溶液的浓度为0.1 mol·l-1。
3. 根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤2)中所述加热反应的温度为80℃,时间为24 h。
4. 根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤3)中tio2和普鲁士蓝的自组装复合材料的用量为每50 ml盐酸溶液加入100 mg;所述盐酸溶液的浓度为0.1 mol·l-1。<...
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