【技术实现步骤摘要】
本专利技术公开一种锂电池防过充实现方法及实现电路，尤其是一种基于保护芯片的 锂电池防过充的实现方法及实现电路。
技术介绍
随着消费类电子产品在人们的日常生活中的应用越来越广泛，由此而带来的一个问题就是电子产品的供电问题。目前，手机、MP3、MP4和移动DVD等电子产品都是采用锂离 子电池进行供电，锂离子电池俗称为锂电池。锂离子电池时一种可再生电池，当电量用尽后 只要对其进行充电，就又可以进行使用，现有技术中的锂电池在进行充电时，通常需要对其 进行防过充保护，目前常用的一种防过充保护是在外部增设有保护控制电路，请参看附图 1，附图1中为现有技术中常见的防过充保护电路，当电池充满电时，CRBT接口输入高电平， 使三极管Q2导通，三极管Q2将MOS管U3的控制端接地，MOS管U3断开，从而使充电电路 的负极回路断开，充电电路停止给锂电池供电，从而达到防止过充的目的。但是，MOS管的 价格比较贵，无形增加了充电电路的成本，且可靠性差，另一方面，由于在充电电路的负极 回路中串接有一个MOS管，会在充电时等效于增加了电池的内阻。
技术实现思路
针对上述提到的现有技术中的锂电池充...
【技术保护点】
一种基于保护芯片的锂电池防过充的实现方法，保护芯片的正电源端连接在电源正极上，保护芯片的负电源端连接在电源负极上，锂电池的正极与电源正极连接，锂电池的负极与电源负极连接，其特征是：所述的电源负极和锂电池负极之间连接有ＭＯＳ管，保护芯片的ＤＯ端控制ＭＯＳ管的通断，保护芯片的ＶＭ端上连接有开关电路，开关电路触发端连接在电压检测电路上，保护芯片的ＶＭ端常态时为高电平，使保护芯片的ＤＯ端控制ＭＯＳ管常态时导通，保护芯片的ＶＭ端触发态时为低电平，使保护芯片的ＤＯ端控制ＭＯＳ管触发态时关断。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：贺乃瑞，
申请(专利权)人：欣旺达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]
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