【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子器件冷却，具体涉及一种芯片内部冷却的多芯片阵列集分液结构。
技术介绍
1、数据中心高性能服务器中含有成千上万的芯片，若不及时有效降低芯片温度，将导致服务器性能迅速衰退。为了保证高性能服务器的稳定运行，对多芯片阵列的温度均匀性要求高，需要对多芯片阵列设计集分液结构，保证每个芯片的均匀流量分配，并在芯片内部进行直接液体冷却，从而保证不同芯片之间的小温差。
2、传统的集分液结构以多芯片的串联流道为主，虽然可以保证每个芯片的流量相同，但水温会不断升高导致多芯片阵列的温度均匀性变差，压降急剧升高。多芯片的并联流道相比于串联流道可以显著降低压降并提高多芯片阵列的温度均匀性，但现有的多芯片并联流道存在占地面积大、压降和温度均匀性仍然较差的问题，亟需开发一种占地面积小、低压降、高均温的集分液结构和集分液方法，为实现受限空间内多芯片的高效热输运提供一种解决方案。
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种芯片内部冷却的多芯片阵列集分液结构，通过两级...
【技术保护点】
1.一种芯片内部冷却的多芯片阵列集分液结构，其特征在于：从下到上包括紧密接触的多芯片阵列(1)、底部基板(2)、二级集液基板(3)、二级分液基板(4)和一级集分液基板(5)；
2.根据权利要求1所述的一种芯片内部冷却的多芯片阵列集分液结构，其特征在于：所述多芯片阵列(1)、底部基板(2)、二级集液基板(3)、二级分液基板(4)和一级集分液基板(5)是左右且上下对称的。
3.根据权利要求1所述的一种芯片内部冷却的多芯片阵列集分液结构，其特征在于：所述二级集液基板(3)、二级分液基板(4)和一级集分液基板(5)厚度相同，是底部基板(2)厚度的两倍；
4.根...
【技术特征摘要】
1.一种芯片内部冷却的多芯片阵列集分液结构，其特征在于：从下到上包括紧密接触的多芯片阵列(1)、底部基板(2)、二级集液基板(3)、二级分液基板(4)和一级集分液基板(5)；
2.根据权利要求1所述的一种芯片内部冷却的多芯片阵列集分液结构，其特征在于：所述多芯片阵列(1)、底部基板(2)、二级集液基板(3)、二级分液基板(4)和一级集分液基板(5)是左右且上下对称的。
3.根据权利要求1所述的一种芯片内部冷却的多芯片阵列集分液结构，其特征在于：所述二级集液基板(3)、二级分液基板(4)和一级集分液基板(5)厚度相同，是底部基板(2)厚度的两倍；
4.根据权利要求1所述的一种芯片内部冷却的多芯片阵列集分液结构，其特征在于：所述多芯片阵列(1)的微流道(6)为直流道、锯齿形流道、波浪形流道或肋片阵列流道，内部无强化散热结构或添加空腔、翅片结构。
5.根据权利要求1所述的一种芯片内部冷却的多芯片阵列集分液结构，其特征在于：低温冷却液通过所述基板进液口(8)向所述微流道(6)的边缘射入，形成局部射流，从所述微流道(6)的另一侧边缘射出，所述底部基板进液口(8)和所述底部基板出液口(9)的长度与所述微流道(6)的总宽度相同。
6.根据权利要求1所述的一种芯片内部冷却的多芯片阵列集分液结构，其特征在于：所述二级集液基板(3)的二级集液基板出液口(11)、所述二级分液基板(4)的二级分液基板进液口(13)和二级分液基板出液口(14)和所述一级集分液基板(5)的总进液口(16)和总出液口(17)形状为矩形或圆形。
7.根据权利...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。