【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体界面热阻的，具体涉及一种半导体异质集成界面热阻调控方法。
技术介绍
1、随着半导体器件尺寸的不断减小、集成密度和功率密度的迅速升高，发热问题愈发严重，研究表明，40％的器件失效来源于器件工作温度过高，散热已经成为制约器件性能和可靠性的关键因素。当前，解决半导体器件散热问题的一个主流方式是异质集成，即将高热导率的材料集成到低热导率器件上，以增强散热。常见的异质集成方式包括外延生长(如气相沉积法、分子束外延法等)和晶圆键合技术(表面活化键合技术、亲疏水键合技术等)。然而异质集成技术也存在许多瓶颈问题，使得异质集成器件的发热问题并没有得到真正的改善，因此无法实现预期的高功率运行。这是因为两种不同半导体材料之间容易形成较大界面热阻，从而严重阻碍半导体器件的散热。因此调控半导体异质集成界面热阻对于实现半导体器件高效热管理、高功率密度具有重要意义。然而，当前缺乏调控半导体异质集成界面热阻的有效方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于针对现有技术的不足之处，提供一种半导体异质集...
【技术保护点】
1.一种半导体异质集成界面热阻调控方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体异质集成界面热阻调控方法，其特征在于，第一材料、第二材料包括氮化镓、碳化硅、氧化镓、金刚石、硅中的一种，且两者异质。
3.根据权利要求1所述的半导体异质集成界面热阻调控方法，其特征在于，步骤1中建立的界面热阻函数关系表达式为：
4.根据权利要求1所述的半导体异质集成界面热阻调控方法，其特征在于，步骤2中，第一材料和第二材料的声子色散关系通过第一性原理计算获取。
5.根据权利要求4所述的半导体异质集成界面热阻调控方法，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种半导体异质集成界面热阻调控方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体异质集成界面热阻调控方法，其特征在于，第一材料、第二材料包括氮化镓、碳化硅、氧化镓、金刚石、硅中的一种，且两者异质。
3.根据权利要求1所述的半导体异质集成界面热阻调控方法，其特征在于，步骤1中建立的界面热阻函数关系表达式为：
4.根据权利要求1所述的半导体异质集成界面热阻调控方法，其特征在于，步骤2中，第一材料和第二材料的声子色散关系通过第一性原理计算获取。
5.根据权利要求4所述的半导体异质集成界面热阻调控方法，其特征在于，通过第...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁超，王鑫华，肖兴林，孟弼伟，李红月，刘新宇，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：
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