【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、氮化镓(gan)是第三代宽禁带半导体的代表，正受到人们的广泛关注，其优越的性能主要表现在：具有高电子迁移率、高的二维电子气(2deg)浓度。另外，氮化镓(gan)材料化学性质稳定、耐高温、抗腐蚀，在高频、大功率、抗辐射应用领域具有先天优势。基于algan/gan异质结的高电子迁移率晶体管(hemt)，在半导体领域已经取得广泛应用。该类器件具有反向阻断电压高、正向导通电阻低、工作频率高等特性，因此可以满足系统对半导体器件更大功率、更高频率、更小体积工作的要求。
2、在通讯等领域中，半导体器件的线性度是一个重要参数。然而，普通hemt器件由于电子饱和速度下降与器件串联电阻增大等因素，会出现随着栅源偏压的增大，器件跨导先上升，达到一定峰值后再下降的现象。跨导下降现象会影响器件的线性。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提供一种半导体结构及其制备方法，能够提高线性度。
2、根据本公开的一个方面，提供一种半
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一极化区(203)的势垒层(202)的厚度与所述第二极化区(204)的势垒层(202)的厚度不同。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一极化区(203)的势垒层(202)的厚度小于所述第二极化区(204)的势垒层(202)的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述势垒层(202)的材料为AlGaN，所述第一极化区(203)的势垒层(202)的Al组分与所述第二极化区(204)的势垒层(202)的Al组
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一极化区(203)的势垒层(202)的厚度与所述第二极化区(204)的势垒层(202)的厚度不同。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一极化区(203)的势垒层(202)的厚度小于所述第二极化区(204)的势垒层(202)的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述势垒层(202)的材料为algan，所述第一极化区(203)的势垒层(202)的al组分与所述第二极化区(204)的势垒层(202)的al组分不同。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一条形槽(100)的宽度恒定，所述第一凸起(101)的宽度变化；或者
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一极化区(203)的宽度与所述第二极化区(204)的宽度比值介于0.3-3。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，多个所述第一极化区(203)中至少两个的所述势垒层(202)的厚度不同；和/或，多个所述第二极化区(204)中至少两个的所述势垒层(202)的厚度不同。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一极化区(203)和/或所述第二极化区(204)的所述势垒层(202)厚度沿第二方向逐渐降低、逐渐增加、先逐渐增加后逐渐降低、先逐渐降低后逐渐增加以及周期变化。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述势垒层(202)的材料为algan，多个所述第一极化区(203)中至少两个的所述势垒层(202)的al组分不同；和/或多个所述第二极化区(204)中至少两个的所述势垒层(202)的al组分不同。
10.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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