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本公开提供了一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括：衬底结构，所述衬底结构的一个表面上设有多个第一条形槽以及位于相邻两个第一条形槽之间的第一凸起，各第一条形槽和第一凸起均沿着第一方向延伸；异质结结构，包括沟道层和势垒层，所述异质结结构...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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