本申请提供多层材料相控阵雷达发射芯片、雷达装置及制作方法，本申请通过第一材料形成的第一材料结构和硅材料形成的SOI硅波导结构，且所述第一材料结构中的第一材料的非线性系数低于硅材料，从而采用第一材料结构与SOI硅波导结构两层波导分束结构，这样第一分束器采用级数尽量少的分束器进行分束，使分束后的光功率不大于第二分束器的材料饱和注入功率，第二分束器完成剩余级数分束，实现减小分束器尺寸并使得每路天线注入功率达到最大。
【技术实现步骤摘要】
本申请属于安全防护，尤其涉及一种多层材料相控阵雷达发射芯片、雷达装置及制作方法。
技术介绍
1、相控阵激光雷达的概念早已被提出，各种不同的设计方案也在不断开展。目前基于soi材料的光学相控阵激光雷达应用广泛，在光学相控阵发射部分进展迅速，光学相控阵损耗也在不断降低。
2、现有硅基光学相控阵多数采用硅材料波导器件，包括输入耦合器、分束器、相位调制器、以及发射天线，受限于si波导光饱和注入功率影响，使得光芯片耦合进天线整体发射功率有限；而部分方案采用sin波导提升opa(optical parametric amplification，光学参量放大器)光芯片注入功率，但sin波导尺寸较大，以及天线之间间距较大，远场opa光斑栅瓣与主瓣角度间隔小，高级栅瓣较多，同时减小了主瓣功率。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种多层材料相控阵雷达发射芯片、雷达装置及制作方法，可以解决现有技术现有硅基光学相控阵，使用sin材料opa尺寸较大，使用si材料opa注入功率有限的问题。
>2、本申请第一方面本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种多层材料相控阵雷达发射芯片，其特征在于，包括至少一个OPA单元，其中所述OPA单元包括第一材料结构和SOI硅波导结构，所述第一材料结构的后端与所述SOI硅波导结构的前端的交叠区域形成耦合连接结构；
2.根据权利要求1所述的多层材料相控阵雷达发射芯片，其特征在于，所述OPA单元还包括光学天线，所述光学天线与所述调相器一一对应连接，用于接收调相后的输入光并发射至探测区域，以及接收相应的回波信号。
3.根据权利要求2所述的多层材料相控阵雷达发射芯片，其特征在于，所述光学天线为底发射光学天线结构，所述OPA单元的下方形成有光栅窗口，所述光栅窗口是通过刻蚀SOI衬底...
【技术特征摘要】
1.一种多层材料相控阵雷达发射芯片，其特征在于，包括至少一个opa单元，其中所述opa单元包括第一材料结构和soi硅波导结构，所述第一材料结构的后端与所述soi硅波导结构的前端的交叠区域形成耦合连接结构；
2.根据权利要求1所述的多层材料相控阵雷达发射芯片，其特征在于，所述opa单元还包括光学天线，所述光学天线与所述调相器一一对应连接，用于接收调相后的输入光并发射至探测区域，以及接收相应的回波信号。
3.根据权利要求2所述的多层材料相控阵雷达发射芯片，其特征在于，所述光学天线为底发射光学天线结构，所述opa单元的下方形成有光栅窗口，所述光栅窗口是通过刻蚀soi衬底中的衬底硅层形成的；
4.根据权利要求1所述的多层材料相控阵雷达发射芯片，其特征在于，所述opa结构还包括隔离介质层，设置于所述第一材料结构与所述soi硅波导结构层之间，用于隔离所述第一材料结构与所述soi硅波导结构；
5.根据权利要求1所述的多层材料相控阵雷达发射芯片，其特征在于，所述耦合连接结构包括：位于所述第一材料结构中第一材料耦合波导和位于所述soi硅波导结构中的硅耦...
【专利技术属性】
技术研发人员：张咸休，邓永强，徐洋，
申请(专利权)人：武汉万集光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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