交通工具、显示器和半导体器件的制造方法技术

提供了一种半导体器件和一种半导体器件的制造方法，其中将被剥离的层与具有一弯曲表面的基底相连接，特别提供一种具有一弯曲表面的显示器，更具体的说，提供一种与具有弯曲表面的基底相连接的包括一发光元件的发光器件。一个将被剥离的层转移到薄膜上，该将被剥离的层包含一发光元件，该发光元件通过使用为金属层或氮化物层的第一材料层和为一氧化层的第二材料层的叠层结构设置在衬底上，然后弯曲该薄膜和将被剥离的层，以此形成一种具有一弯曲表面的显示器。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件，它具有一种由通过将剥离的层与基底元件粘 接转换成的薄膜晶体管(下文称之为TFT)组成的电路。更具体的说，本专利技术 涉及一种用液晶模块表示的电光器件， 一种用EL模±央标的发光器件和一种这 样的器件作为其一个部件安装在其上的电子设备。而且，本专利技术还涉及一种上 述所有这些器件和装置的制造方法。注意本说明书中的半导 件^^通过使用半导体特性而起作用的通用器 件，电光器件，发光器件，半导体电路和电子设备全部是半导鹏件。
技术介绍
蹄来，人们已注意到一种通逝顿半导体薄膜(厚度大约为几到几百纳 米〉构成薄膜晶体管(TFT)的技术，该半导体薄膜在具有绝缘表面的衬底上形 成。薄膜晶体管广泛地应用于电子器件如IC或电光器件中。特别是，急需开发 作为图像显示器件开关元件的薄膜晶体管。而且，例如人们己开始尝试从事将导航系统显示器件，声频操作屏幕显示 器件和测量显示器安装到^ffi工具如汽车和飞机的不同显示器件中。期望的是1OT这样的图像显示器的不同应用，特别是注意到，便携式设 备中的使用。目前，在许多情况下玻璃衬底或石^l寸底用于形成TFT。但是， 上述衬底存在一个易于破裂和重量重的缺点。此外，在大批量生产的情况下， 亍顿体积大的玻璃衬底和体积大的石英衬底是比较困难的，因此不适于{顿。 因此，试图據性衬底，典型的錢性塑料薄膜上形成TFT元件。然而，塑料薄膜具有较低的耐热性，这样就必须降低加工过程中的最高温 度。因此，在目前的环境下，与使用玻璃衬底盼瞎况相比，就不能在塑料薄膜 上形成具有{雌电性能的TFT。因此，就不能实现^顿了塑料薄膜和具有高性能的液晶显示器件和发光元件。如果能够在柔性衬底如塑料薄膜上制造其中形成有机发光元件(OLED: 有机发光器件)的发光器件或液晶显示器件，那么这样的器件就育調于一种具 有弯曲表面，显示窗等以及厚度薄和重量轻的显示器中。因此，它的使用并不 仅仅局限于移动设备中，其应用范围是非常广的。而且，如果具有弯曲表面的显示器可使用，那么在有限空间如汽车或飞机 或其它这样的^X具的驾驶员座位上装备图像或湖懂显示器的情况下，显示 器就能被安装到具有弯曲表面(如窗口，天花板，门，仪表盘等)的不同位置 上，由此减小显示器所占据的空间。由于目前为止显示器是平面形状的，因此 工具中的空间已经变窄，或者为了装配平面显示器就需要进行复杂的操作， 如切断墙壁和连接等操作。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种其中待剥离的层与具有弯曲表面的基底元件 粘接的半导MI件，和这种半导体器件的制造方法。更具体的说，本专利技术的一 个目的是提供具有弯曲表面的显示器，详细地说，是一种具有发光元件的发光 器件与具有弯曲表面的基底元件粘接，发光元件中包含一有机化合物的层用作 发光层，或者一种液晶显示器件，其中待剥离的层与具有弯曲表面的基底元件 粘接。而且，本专利技术的另一个目的是衝共一种用TFT表示的各种不同元件(薄膜 二极管，由硅制成的具有PIN结的光电转换元件和硅阻元件)与柔性薄膜(可弯曲薄膜)粘接的半导体器件，和这种半导体器件的制造方法。根据本专利技术，在衬底上形成包含一个元件的将被剥离的层时，用作元件沟 道的区域的沟道长度方向全部以相同的方向排列，执行在与沟道长度相同的方 向扫描的激光照射，以此完成该元件。此后该元件用于具有弯曲表面的基底上， 该弯曲表面在一个与上述沟道长度方向不同的方向弯曲，即，沿着沟道宽度方 向弯曲，因此实现具有弯曲表面的显示器。注意，在剥离层用于具有弯曲表面 的基底瞎况下，该剥离层也将沿着基底的弯曲表面弯曲。在本专利技术中，元件的 所有沟道长度方向在相同的方向排列，同时沟道长度方向和基底弯曲的方向是 不同的。因此，即使包含该元件的剥离层是弯曲的，也会将对该元件特性的影 响保持在最低限度。？奂句话说，它也旨詢多提供一种相对于某一方向(这里表示沿着基底弯曲的方向)变形而保J针分坚固的半导mi件。 有关本说明书中公开的制造方法的本专利技术构成如下 艮P，根据本专利技术，提供一种半导mi件的制造方法，包括 在衬底上形劍每被录l漓的包含一元件的层的步骤；将支架固定在包含元件的剥离层上，然后通过^ffi物理方法从衬底上剥离 支架的步骤；将转移体固定于将被剥离的包含元件的层上，将该元件夹在支架和转移体 之间的步骤，该方法的特征在于该元件是薄膜晶体管，其中半导体层与栅阴t疆加，同时将绝缘薄膜夹在 二者之间用作沟道，形成半导体层的步骤包括照射激光的过程，该激光在与沟 道的沟道长度方向相同的方向扫描。但是，根据上述结构，如果将被剥离的层的机滅强度是足够的，那么就可 不必附加稳固将被剥离层的转移体。注意，上述结构的特征在于提供多个薄膜晶体管，该多个薄膜晶体管的沟 道长度方向全部在相同的方向排列。而且，上述结构的特征在于上述支架具有一个弯曲表面，该弯曲表面以凸 形或凹形弯曲，，支架弯曲的方向和，沟道长度方向相互是不同的。此外， 在附加转移体的情况下，该转移体也具有一个弯曲表面，该弯曲表面以一个与 支架弯曲表面相配合的凸形或凹形弯曲。因此，上述结构的特征在于上述转移 体具有一个凸形或凹形弯曲表面，，支架弯曲的方向和上述沟道长度方向是不同的。而且，战结构的特征在于它形成为液晶显示器件时，上述支架是一个反 向衬底，上述元件具有一个像素电极，像素电极和反向衬底之间的空间充满液 晶材料。而且，战结构的特征在于它形成为具有发光元件的发光器件时，发光元 件中包含有机化合物的层用作发光层，上述支架是一密封材料，上述元件是一 发光元件。而且，根据上述结构，执行剥离的方法不会穀脾寺别地限制，它能够l顿 一种在将被剥离的层和衬底之间设置一分离层的方法，该分离层通过化学溶液(蚀亥跻lj)进行去除以能分离将被剥离的层和衬底，或者使用一种在将被剥离 的层和衬底之间设置由非晶硅组成的分离层的方法，激光经过衬底照射以能排 出包含在非晶硅中的氢，由此产生孔隙，因此分离将被剥离的层和衬底。注意， 在激光用于剥离的情况下，包含在将被剥离层中的元件应该用设定的41(TC， 低的热处理温度形成以便氢在剥离前不会排出。而且，作为另一种剥离方法，也能够使用一种其中^两个层之间产生的 薄膜应力用于执行剥离的剥离方法。在本剥离方法中， 一金属层，最好是氮化 的金属层设置在衬底上，然后通过撤虫上述氮化的金属层设置氧化层，以便该元件形成在氧化层上。在此情况下，即使在薄IM用Ma^呈中^i50(rc的热处理过程中，该薄膜也不会剥离，使用物理方法很容易地在氧化层内或在其表面实现清晰分离。而且，为了进一步剥离，在使用上述物理方法执行剥离前可执行热，或激光照射处理。根据通过4OT—种两4^层之间产生的薄膜应力用于执4于剥离的剥离方法制 造半导^機件的本专利技术的制造方法，提供一种制造半导j機件的方法，其特征在于它包括第一个步骤在第一衬底上形成一个包含一半导体元件的将被录螭的层； 第二个步骤用第一粘合剂将第二衬底与将被剥离的层相粘接，使将被剥离的层夹在第一衬底和第二衬底之间；第三个步骤使将被剥离的层与第一衬底分离；第四个步骤用第二粘合剂将第三衬底与将被剥离的层相粘接，使将被剥 离的层夹在第二衬底和第三衬底之间 ，第五个步骤使将被剥离的层与第二衬底分离，形劇各被剥离的层，其中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种照明装置，包括：　柔性衬底；　在所述柔性衬底上的粘接层；和　在所述粘接层上的光发射元件，　其中，所述光发射元件包括第一电极、第二电极以及所述第一电极和所述第二电极之间的光发射层，所述光发射层包括有机化合物。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高山彻，丸山纯矢，后藤裕吾，桑原秀明，山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]