【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体发光器件领域,特别涉及一种发光器件的制备方法、发光器件及显示装置。
技术介绍
1、微发光二极管(micro light emitting diode display,简称micro led)显示技术是将传统的led结构进行微缩化和阵列化形成发光芯片,采用互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,简称cmos)电路结构或薄膜场效应晶体管(thin film transistor,简称tft)制作驱动芯片,通过键合工序实现每一像素点的定址控制和单独驱动的发光显示技术。
2、目前,相关技术的micro led的发光芯片与驱动芯片制备的发光器件尺寸较小,因此,亟需提供一种能制备大尺寸发光器件的方案。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种发光器件的制备方法、发光器件及显示装置,发光器件包括键合连接的芯片阵列与驱动阵列,该芯片阵列包括多个发光阵列芯片,从而本申请可以制备出大尺寸的发光器件。
2、为
...【技术保护点】
1.一种发光器件的制备方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的发光器件的制备方法,其特征在于,所述将所述芯片阵列与所述驱动阵列键合,得到键合结构之后,还包括:
3.根据权利要求2所述的发光器件的制备方法,其特征在于,所述将所述微透镜阵列贴合至所述键合结构的所述芯片阵列背离所述驱动阵列的一面之后,还包括:
4.根据权利要求1所述发光器件的制备方法,其特征在于,每一所述发光阵列芯片包括多个发光单元,每一所述发光单元包括第一电极和第二电极;
5.根据权利要求4所述的发光器件的制备方法,其特征在于,每一所述发光单元具有
...【技术特征摘要】
1.一种发光器件的制备方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的发光器件的制备方法,其特征在于,所述将所述芯片阵列与所述驱动阵列键合,得到键合结构之后,还包括:
3.根据权利要求2所述的发光器件的制备方法,其特征在于,所述将所述微透镜阵列贴合至所述键合结构的所述芯片阵列背离所述驱动阵列的一面之后,还包括:
4.根据权利要求1所述发光器件的制备方法,其特征在于,每一所述发光阵列芯片包括多个发光单元,每一所述发光单元包括第一电极和第二电极;
5.根据权利要求4所述的发光器件的制备方法,其特征在于,每一所述发光单元具有第一键合面以及暴露于所述第一键合面的第一介质层、第一导电层和第二导电层,所述第一导电层与所述第一电极电性连接,所述第二导电层与所述第二电极电性连接;每一所述驱动阵列具有第二键合面以及暴露于所述第二键合面的第二介质层、第三导电层和第四导电层;
6.根据权利要求5所述的发光器件的制备方法,其特征在于,在每个所述发光单元中,所述第一键合面为所述发光单元朝向所述驱动阵列一侧的全部表面,所述第二键合面为所述驱动阵列朝向所述发光单元一侧的全部表面,且所述第一键合面和所述第二键合面是无间隙连接。
7.根据权利要求5所述的发光器件的制备方法,其特征在于,所述将所述芯片阵列的发光单元的第一介...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴涛,张珂,
申请(专利权)人:深圳市思坦科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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