一种连续生长单晶的方法技术

本发明专利技术公开了一种连续生长单晶的方法，涉及晶体生长技术领域。本发明专利技术连续生长单晶的方法，包括如下步骤：S1：将多晶料块装入坩埚中，在坩埚的籽晶槽中放入籽晶，坩埚封口后移到生长炉中，抽真空后冲入保护气体；S2：移动坩埚至生长炉的高温区，保温2‑3h至多晶料块全部熔化，得到熔体，熔体与籽晶接触，实现接种；S3：将坩埚在生长炉的梯度区移动，实现晶体生长；S4：移动坩埚至生长炉的低温区，保温10‑15h，降至室温，得到单晶。本申请公开的方法生长出大尺寸、质量好、成品率高的Nd:YAG晶体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体生长，具体涉及一种连续生长单晶的方法。

技术介绍

1、yag是人造钇铝榴石的简称，nd：yag晶体是指在晶体生长的过程中掺杂了nd3+而生长出的钇铝榴石晶体；由于nd：yag单晶除了具有机械性能好、导热率高、硬度大、物理化学性能稳定等优点外，还是一种四能级激光，可以在室温下工作，激光跃迁的波长为1.0648um，实现振荡的阈值低，且无需电荷补偿而渗入，可作为激活离子和敏化离子来提高激光输出的晶体，是目前最广泛应用的一种固体激光材料。在室温下可实现连续和脉冲等多种方式的运转，其中连续运转是nd：yag激光器最好的工作方式，其连续激光输出已达到千瓦级。随着激光技术的发展，高效、高功率、高光束质量的激光器要求使用大尺寸、高nd掺杂浓度、组分和光学均匀的nd:yag激光晶体棒。

2、现有技术中，一般采用从熔体中生长晶体的方法制备nd：yag晶体；但由于nd：yag晶体生长温度高、掺钕yag熔体具有较大的过冷度，在进行晶体生长时，容易因nd3+偏析及过冷度大容易产生组分过冷现象，进而出现nd组分分凝严重、固溶体的有限性、晶体容易开裂、存本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种连续生长单晶的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种连续生长单晶的方法，其特征在于，S1中料块的制备方法包括如下步骤：将Y2O3、Al2O3、Nd2O3研磨混料、压制，得到料块。

3.根据权利要求2所述的一种连续生长单晶的方法，其特征在于，S1中Y2O3、Al2O3、Nd2O3的添加量按照化学式（Y3-XNdX）Al5O12中相应的原子摩尔百分比进行添加，所述X为0.9-1.3之间的任一数值。

4.根据权利要求2所述的一种连续生长单晶的方法，其特征在于，S1中抽真空后冲入保护气体具体步骤为：抽气至0.1×10-3-1×1...

【技术特征摘要】

1.一种连续生长单晶的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种连续生长单晶的方法，其特征在于，s1中料块的制备方法包括如下步骤：将y2o3、al2o3、nd2o3研磨混料、压制，得到料块。

3.根据权利要求2所述的一种连续生长单晶的方法，其特征在于，s1中y2o3、al2o3、nd2o3的添加量按照化学式（y3-xndx）al5o12中相应的原子摩尔百分比进行添加，所述x为0.9-1.3之间的任一数值。

4.根据权利要求2所述的一种连续生长单晶的方法，其特征在于，s1中抽真空后冲入保护气体具体步骤为：抽气至0.1×10-3-1×10-3pa后，冲入氩气至气压为1×105-1.5×105pa。

5.根据权利要求1所述的一种连续生长单晶的方法，其特征在于，s1中籽晶为<111>方向的yag晶体。

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【专利技术属性】
技术研发人员：罗毅，龚瑞，
申请(专利权)人：安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：