【技术实现步骤摘要】
本技术属于单晶硅制备，尤其涉及一种单晶炉漏硅引流装置。
技术介绍
1、单晶硅制备是指通过特定的工艺将硅材料转化为单晶结构的过程。
2、目前现有光伏用单晶炉由于复投加料技术的普及，石英坩埚普遍运行时间在10天以上，在拉晶的后期，石英坩埚碎裂的可能性会增大，一旦坩埚碎裂，坩埚内的硅熔液会进入到单晶炉内部，如果漏硅量过大，硅熔液会流进抽空管道内部及下传动波纹管内，烫坏抽空管道及波纹管再流到炉外，一旦烫坏电机及线路，还会有其他的危险产生。
技术实现思路
1、本技术要解决的技术问题是：如果漏硅量过大，硅熔液会流进抽空管道内部及下传动波纹管内，烫坏抽空管道及波纹管再流到炉外。
2、本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种单晶炉漏硅引流装置，包括石英坩埚和竖直通道，所述竖直通道的顶部和石英坩埚的底部相连通，所述石英坩埚底部的四周固定安装有钼导流板，所述钼导流板的底部固定安装有硅溶液导流收集机构；所述硅溶液导流收集机构包括钼导流环、钼接液盘、下传动波纹管、钼导流管、导流管堵板和...
【技术保护点】
1.一种单晶炉漏硅引流装置，包括石英坩埚(1)和竖直通道(4)，其特征在于：所述竖直通道(4)的顶部和石英坩埚(1)的底部相连通，所述石英坩埚(1)底部的四周固定安装有钼导流板(2)，所述钼导流板(2)的底部固定安装有硅溶液导流收集机构(3)；
2.根据权利要求1所述的一种单晶炉漏硅引流装置，其特征在于：所述钼导流板(2)内部为锥形状态。
3.根据权利要求1所述的一种单晶炉漏硅引流装置，其特征在于：所述钼接液盘(302)与钼导流管(304)通过螺纹连接。
4.根据权利要求1所述的一种单晶炉漏硅引流装置，其特征在于：所述导流管堵板(3...
【技术特征摘要】
1.一种单晶炉漏硅引流装置，包括石英坩埚(1)和竖直通道(4)，其特征在于：所述竖直通道(4)的顶部和石英坩埚(1)的底部相连通，所述石英坩埚(1)底部的四周固定安装有钼导流板(2)，所述钼导流板(2)的底部固定安装有硅溶液导流收集机构(3)；
2.根据权利要求1所述的一种单晶炉漏硅引流装置，其特征在于：所述钼导流板(2)内部为锥形状态。
3.根据权利要求1所述的一种单晶炉漏硅引流装置，其特征在于：所述钼接液盘(302)与钼导流管(304)通过螺纹连接。
4.根据权利要求1所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：李维琛，李润飞，贾世涛，
申请(专利权)人：晶澳无锡光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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