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本发明公开了一种连续生长单晶的方法，涉及晶体生长技术领域。本发明连续生长单晶的方法，包括如下步骤：S1：将多晶料块装入坩埚中，在坩埚的籽晶槽中放入籽晶，坩埚封口后移到生长炉中，抽真空后冲入保护气体；S2：移动坩埚至生长炉的高温区，保温2‑3...
该专利属于安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司授权不得商用。

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