【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅制备，尤其是一种气态碳合成碳化硅的制备方法。
技术介绍
1、碳化硅单晶因其具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、良好的化学稳定性等独特的特性，在白光照明、光存储、屏幕显示、航天航空、高温辐射环境、石油勘探、自动化、雷达与通信、汽车电子化以及电力电子等方面有广阔的应用前景，在单晶衬底、同质外延半导体薄膜和器件工艺等方面发展迅速，是最理想的第三代半导体之一。半绝缘碳化硅在高频下有低的介电损耗，使得它在作为基于宽带隙半导体(例如sic、gan)的高温、大功率、高频电子器件和传感器的单晶衬底上有很大的优势。sic粉料的纯度在升华法生长半导体sic单晶时起很重要的作用，直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质。
2、sic粉料合成的方法主要包括：化学气相淀积法，有机合成法、自蔓延法和acheson法。其中，化学气相沉积法(简称cvd法)是利用有机硅源(硅烷、四氯化硅等)和有机碳源(四氯化碳、甲烷、乙烯、乙炔和丙烷等)，在高温条件下合成高纯碳化硅粉末，然而合成的粉末为纳米级的...
【技术保护点】
1.一种气态单质碳合成碳化硅的制备方法，其特征在于：在反应室1内放置碳源，在反应室2内放置硅源，所述碳源为富勒烯，使所述碳源受热后获得气态单质碳，将所述气态单质碳引入所述反应室2中，与事先加热的所述硅源反应，反应完成后进行冷却，得到碳化硅。
2.根据权利要求1所述气态单质碳合成碳化硅的制备方法，其特征在于：采用内嵌式反应室，所述反应室1部分或者完全嵌入所述反应室2中，且所述反应室1的反应空间与所述反应室2相连通；所述气态单质碳合成碳化硅的制备方法包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述气态单质碳合成碳化硅的制备方法，其特征在于：S3中对所述内嵌式...
【技术特征摘要】
1.一种气态单质碳合成碳化硅的制备方法，其特征在于：在反应室1内放置碳源，在反应室2内放置硅源，所述碳源为富勒烯，使所述碳源受热后获得气态单质碳，将所述气态单质碳引入所述反应室2中，与事先加热的所述硅源反应，反应完成后进行冷却，得到碳化硅。
2.根据权利要求1所述气态单质碳合成碳化硅的制备方法，其特征在于：采用内嵌式反应室，所述反应室1部分或者完全嵌入所述反应室2中，且所述反应室1的反应空间与所述反应室2相连通；所述气态单质碳合成碳化硅的制备方法包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述气态单质碳合成碳化硅的制备方法，其特征在于：s3中对所述内嵌式反应室进行加热的温度为1200-1600℃，保温的时间为5-8h。
4.根据权利要求1所述气态单质碳合成碳化硅的制备方法，其特征在于：采用外置式反应室，所述反应室2与所述反应室1相互独立，且二者之间设有通气管道，所述通气管道允许所述反应室1内的反应物进入所述反应室2；所述气态单质碳合成碳化硅的制备方法包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述气态单质碳合成碳化硅的制备方法，其特征在于：m1中所...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷斌，朱常锋，高鹏举，廖炳文，李新德，梁业明，
申请(专利权)人：厦门福纳新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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