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本发明涉及一种气态单质碳合成碳化硅的制备方法，包括以下步骤：S1，在反应室1放置碳源，加热碳源，获得气态单质碳，所述碳源为高纯富勒烯；S2，在反应室2放置硅源，加热硅源，加热到1100～1900℃；S3，在惰性气体氛围保护下，气态单质碳流入...该专利属于厦门福纳新材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门福纳新材料科技有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种气态单质碳合成碳化硅的制备方法，包括以下步骤：S1，在反应室1放置碳源，加热碳源，获得气态单质碳，所述碳源为高纯富勒烯；S2，在反应室2放置硅源，加热硅源，加热到1100～1900℃；S3，在惰性气体氛围保护下，气态单质碳流入...