【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电离辐射，尤其提供一种提升poms剂量计辐射敏感性的方法。
技术介绍
1、随着空间探测活动的深入，随之而来的空间辐射问题也成为研究的重点之一。空间辐射主要包括两类：银河系和太阳活动释放出来的高能带电粒子流；地磁场捕获带电粒子而形成的高强度辐射区，即van-allen辐射带。空间高能粒子的穿透力比较强，会使航天器的表面材料、结构材料以及电子元器件等性能变差，严重的会造成彻底损坏。对空间辐射环境数据的收集对航天器的加固至关重要。
2、基于p-channel metal oxide semiconductor(pmos)传感器的电离辐射剂量计具有体积小、重量轻、读出电路简单、可靠性高等的优点，已经应用于空间探测任务。
3、pmos辐照传感器的基本工作原理：pmos剂量计的栅介质(主要是二氧化硅，sio2)对电离辐射敏感；辐射能够在栅介质内产生正电性的稳定辐射缺陷，使得器件的阈值电压负向漂移，阈值电压的变化量对辐照剂量的增加而单调增大，可以通过测试电路对阈值电压的变化进行实时监测，据此可推测飞行器受照射剂量...
【技术保护点】
1.一种提升POMS剂量计辐射敏感性的方法，其特征在于，所述POMS剂量计包括由上至下依次设置栅电极、栅介质以及衬底基体，所述衬底基体具有朝向所述栅介质的顶端面，由所述顶端面向内分别形成源区和漏区，所述源区和所述漏区相间隔设置，所述栅介质的一端置于所述源区处且另一端置于所述漏区处，所述POMS剂量计还包括源电极和漏电极，所述源电极置于所述源区上，所述漏电极置于所述漏区上，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的提升POMS剂量计辐射敏感性的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的提升POMS剂量计辐射敏感性的方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种提升poms剂量计辐射敏感性的方法，其特征在于，所述poms剂量计包括由上至下依次设置栅电极、栅介质以及衬底基体，所述衬底基体具有朝向所述栅介质的顶端面，由所述顶端面向内分别形成源区和漏区，所述源区和所述漏区相间隔设置，所述栅介质的一端置于所述源区处且另一端置于所述漏区处，所述poms剂量计还包括源电极和漏电极，所述源电极置于所述源区上，所述漏电极置于所述漏区上，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的提升poms剂量计辐射敏感性的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的提升poms剂量计辐射敏感性的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的提升poms剂量计辐射敏感性...
【专利技术属性】
技术研发人员：李磊，陈潇驰，曾光，刘许强，杨桂霞，于晓飞，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院核物理与化学研究所，
类型：发明
国别省市：
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