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本发明涉及电离辐射技术领域，提供一种提升POMS剂量计辐射敏感性的方法，该方法包括：利用离子束对POMS剂量计进行辐射，并且，离子束的辐射方向为沿栅电极朝向衬底基体的方向；确定栅电极、栅介质以及衬底基体的材质和尺寸大小，通过查表法或理论计算...
该专利属于中国工程物理研究院核物理与化学研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院核物理与化学研究所授权不得商用。

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