一种冷源二极管、冷源二极管的制作方法及相关设备技术

本申请实施例公开了一种冷源二极管、冷源二极管的制作方法及相关设备，应用于半导体技术领域。其中，一种冷源二极管，包括：衬底和PN结，该PN结包括依次层叠于衬底上的第一半导体层，第二半导体层，金属层和第三半导体层；其中，第一半导体层中有第一类的轻掺杂，第二半导体层中有第二类的重掺杂，第三半导体层中有上述第一类的重掺杂。因此，通过在第二半导体层一侧连接一层轻掺杂的第一半导体层，可以形成一个与第二半导体层和第三半导体层之间相反的内建电场，可以有效地对第二半导体层和第三半导体层内电子态密度进行调控，从而使得本申请实施例的冷源二极管电流开启和关闭的效率更高。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯朝昭，张强，王嘉乐，董耀旗，许俊豪，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：