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本申请实施例公开了一种冷源二极管、冷源二极管的制作方法及相关设备，应用于半导体技术领域。其中，一种冷源二极管，包括：衬底和PN结，该PN结包括依次层叠于衬底上的第一半导体层，第二半导体层，金属层和第三半导体层；其中，第一半导体层中有第一类的...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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