【技术实现步骤摘要】
本技术涉及薄膜沉积领域，尤其涉及一种对中调节机构。
技术介绍
1、在薄膜沉积的实际应用中，通常需要对反应腔体、加热盘、反应腔内衬及支撑环等关键设备进行对中调节，以避免晶圆成膜发生偏移。
2、现有的加热盘对中技术通常只涉及反应腔体及加热盘的对中，而无法确定反应腔内衬、支撑环与加热盘的对中性，既无法实现加热盘加热中心与反应腔内衬和喷淋板形成的空间对中，也无法实现支撑环与加热盘的对中。因此，现有技术往往无法防止腔体内部气流分布与设计发生偏移，以及晶圆中心与加热盘加热中心不重合的情况。
3、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种对中调节技术，用于有效地抑制晶圆成膜发生偏移，从而提升晶圆成膜的均匀性。
技术实现思路
1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详
【技术保护点】
1.一种对中调节机构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的对中调节机构，其特征在于，所述加热盘及所述边缘环之间的多条间隙包括边缘间隙和/或中心间隙，所述第四治具的多个定位部包括边缘定位环和/或至少一个中心定位销，其中，所述边缘定位环穿过所述加热盘及所述边缘环之间的边缘间隙，和/或所述至少一个中心定位销穿过所述加热盘及所述边缘环之间的中心间隙，以对中所述加热盘与所述边缘环。
3.如权利要求2所述的对中调节机构，其特征在于，所述中心定位销的第一高度大于所述边缘定位环的第二高度。
4.如权利要求2所述的对中调节机构，其特征在于，所述...
【技术特征摘要】
1.一种对中调节机构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的对中调节机构，其特征在于，所述加热盘及所述边缘环之间的多条间隙包括边缘间隙和/或中心间隙，所述第四治具的多个定位部包括边缘定位环和/或至少一个中心定位销，其中，所述边缘定位环穿过所述加热盘及所述边缘环之间的边缘间隙，和/或所述至少一个中心定位销穿过所述加热盘及所述边缘环之间的中心间隙，以对中所述加热盘与所述边缘环。
3.如权利要求2所述的对中调节机构，其特征在于，所述中心定位销的第一高度大于所述边缘定位环的第二高度。
4.如权利要求2所述的对中调节机构，其特征在于，所述至少一个中心定位销的直径及位置适配所述加热盘表面的至少一个陶瓷柱安装孔，其中，所述至少一个中心定位销在完成所述加热盘与所述边缘环的对中后，被从对应的陶瓷柱安装孔移除，以供气其安装支撑晶圆背面...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵坤，高鹏飞，张启辉，杨华龙，朱晓亮，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
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