【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种半导体结构及其制作方法。
技术介绍
1、金属-半导体界面接触电阻主要由金属和半导体材料接触形成的肖特基势垒高度决定，受到金属功函数和半导体电子亲和势差异以及金属与半导体界面缺陷态（如悬空键、金属诱导间隙态和界面偶极子等）的影响。且由于半导体表面态的存在，金属和半导体直接接触普遍存在费米能级钉扎效应，因而很难通过选择适当功函数相对于半导体的电子亲和性的金属，来控制半导体表面载流子浓度形成良好的欧姆接触，而降低接触电阻，如图1-图3所示，分别为未接触材料的能带示意图、莫特-肖特基理论能带示意图以及费米能级钉扎界面能带示意图。在一些半导体结构中，金属-半导体界面的接触电阻已成为制约半导体结构性能一个重要因素。例如，在电源设计中，体电阻（接触电阻）的大小直接影响其功率转换效率；甚至由于这种大的接触电阻存在，造成器件的功耗增加，形成热量积累，器件性能恶化、损坏等。
2、目前，在降低金属-半导体界面接触电阻的工艺中，广泛应用的包括以下几种：（1）直接金属化工艺。在一些半导体结构中，通过在半导体表面沉积...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的掺杂类型不相同；或所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的掺杂类型相同。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述隧穿氧化层的厚度范围为0.5nm~7nm。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：形成所述隧穿氧化层包括以下步骤：于氧化性气体气氛中，采用第一预设升温速度升温至第一预设处理温度并将所述第一预设处理温度保持第一预设时间，以对所述第一接触孔底部显...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的掺杂类型不相同；或所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的掺杂类型相同。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述隧穿氧化层的厚度范围为0.5nm~7nm。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：形成所述隧穿氧化层包括以下步骤：于氧化性气体气氛中，采用第一预设升温速度升温至第一预设处理温度并将所述第一预设处理温度保持第一预设时间，以对所述第一接触孔底部显露的所述第一掺杂区以及所述第二接触孔底部显露的所述第二掺杂区进行预处理；采用第二预设升温速度升温至第二预设处理温度并将所述第二预设处理温度保持第二预设时间，以对所述第一接触孔底部显露的所述第一掺杂区以及所述第二接触孔底部显露的所述第二掺杂区进行热氧化处理；采用预设降温速度降温至第三预设处理温度以对所述第一接触孔底部显露的所述第一掺杂区以及所述第二接触孔底部显露的所述第二掺杂区进行快速退火处理，于所述第一接触孔底部显露的所述第一掺杂区上表面以及所述第二接触孔底部显...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢金德，贾晓峰，鄢江兵，陈献龙，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。