温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，于半导体衬底上表层形成间隔设置的第一掺杂区及第二掺杂区；形成覆盖半导体衬底上表面的层间介质层并于层间介质层中形成底面显露出第一掺杂区的第一接触孔及底面显露出第二掺杂区的第...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。