场效应晶体管及其制造工艺制造技术

本发明专利技术涉及场效应晶体管及其制造工艺。场效应晶体管具有栅极电极、栅极绝缘层、沟道、以及与沟道电连接的源极电极和漏极电极，所述沟道包括氧化物半导体，所述源极电极或漏极电极包括氮氧化物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及场效应晶体管，所述场效应晶体管具有栅极电极、栅极绝缘层、沟道和 与沟道电连接的源极和漏极电极，所述沟道包括氧化物半导体，所述源极电极或漏极电极 包括氮氧化物。 在场效应晶体管中，氮氧化物的主金属元素可以是锌(Zn)或铟(In)。 氧化物半导体中包含的主金属元素和氮氧化物中包含的主金属元素可以是相同的。 氧化物半导体可包含锌(Zn)、铟(In)和氧(0)，并且可具有非晶结构，并且氮氧化物可含有包含锌(Zn)、铟(In)、氧(0)和氮(N)的晶体。 氮氧化物中包含的氧和氮的组分比率可以由关系表达式(1)表示(氮原子)/(氮原子+氧原子)X).Ol (1)。 在场效应晶体管中，氮氧化物的光学带隙可以小于氧化物半导体的光学带隙。 源极电极和漏极电极可以是通过向构成沟道的半导体添加氮而形成的源极区域 和漏极区域。 本专利技术涉及制造场效应晶体管的工艺，其包括下述步骤在衬底上形成氧化物半 导体膜，向氧化物半导体膜的数个部分添加氮以形成由氮氧化物构成的源极和漏极区域， 并留下未添加氮的部分作为沟道区域。 制造场效应晶体管的工艺可包括下述步骤形成栅极电极，并且通过将栅极电极 用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管，其具有栅极电极、栅极绝缘层、沟道、以及与沟道电连接的源极电极和漏极电极，所述沟道包括氧化物半导体，所述源极电极或漏极电极包括氮氧化物。

【技术特征摘要】
JP 2008-10-8 2008-261878一种场效应晶体管，其具有栅极电极、栅极绝缘层、沟道、以及与沟道电连接的源极电极和漏极电极，所述沟道包括氧化物半导体，所述源极电极或漏极电极包括氮氧化物。2. 根据权利要求l所述的场效应晶体管，其中氮氧化物的主金属元素是锌(Zn)或铟(In)。3. 根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述氧化物半导体中包含的主金属元素和所述氮氧化物中包含的主金属元素是相同的。4. 根据权利要求3所述的场效应晶体管，其中所述氧化物半导体包含锌(Zn)、铟(In)和氧(O)，并且具有非晶结构，并且所述氮氧化物包含这样的晶体，所述晶体包含锌(Zn)、铟(In)、氧(0)和氮(N)。5. 根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩崎达哉，板垣奈穗，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]