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本发明涉及场效应晶体管及其制造工艺。场效应晶体管具有栅极电极、栅极绝缘层、沟道、以及与沟道电连接的源极电极和漏极电极，所述沟道包括氧化物半导体，所述源极电极或漏极电极包括氮氧化物。...
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