一种改善外延层OVL对位问题的方法技术

本申请公开了一种改善外延层OVL对位问题的方法，包括：提供一衬底；在所述衬底表层形成量测标识，所述量测标识为一凹槽，所述凹槽的侧壁向远离凹槽中心的方向凹陷；在所述衬底表面形成外延层，所述外延层覆盖所述量测标识的部分形成凹陷。本申请通过上述方案，能够解决相关技术中外延层厚度增加会影响量测标识的形貌,使得光刻前层的量测标识外框变形严重，最终导致量测失败的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体工艺的，具体涉及一种改善外延层ovl对位问题的方法。

技术介绍

1、ovl(套准)是利用光学来测量不同层次的对准偏差，光刻过程中，通常会使用量测标识(overlay mark)来为后续的套刻工艺对准。在高压器件工艺中，为获得更高的反向击穿电压，通常会采用较厚的外延层(epi),然而，外延层厚度增加会影响量测标识的形貌,使得光刻前层的量测标识外框变形严重，最终导致量测失败。

技术实现思路

1、本申请提供了一种改善外延层ovl对位问题的方法，可以解决相关技术中由于外延层较厚导致的量测标识外框模糊，导致量测失败的问题。

2、本申请实施例提供了一种改善外延层ovl对位问题的方法，包括：

3、提供一衬底；

4、在所述衬底表层形成量测标识，所述量测标识为一凹槽，所述凹槽的侧壁向远离凹槽中心的方向凹陷；

5、在所述衬底表面形成外延层，所述外延层覆盖所述量测标识的部分形成凹陷。

6、在一些实施例中，所述凹槽的侧壁顶部和未被刻蚀的衬底表层之间的夹角为锐本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善外延层OVL对位问题的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽的侧壁顶部和未被刻蚀的衬底表层之间的夹角为锐角。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底表层形成量测标识，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延层的厚度为3-7um。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述量测标识的深度为1.5-3um。

【技术特征摘要】

1.一种改善外延层ovl对位问题的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽的侧壁顶部和未被刻蚀的衬底表层之间的夹角为锐角。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨蒙蒙，禹楼飞，王晓日，张磊，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：