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本申请公开了一种改善外延层OVL对位问题的方法，包括：提供一衬底；在所述衬底表层形成量测标识，所述量测标识为一凹槽，所述凹槽的侧壁向远离凹槽中心的方向凹陷；在所述衬底表面形成外延层，所述外延层覆盖所述量测标识的部分形成凹陷。本申请通过上述方...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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