一种图形化复合衬底及其外延结构制造技术

本技术涉及半导体领域，公开了一种图形化复合衬底及其外延结构，包括表面具有微米级周期性排布的凸起结构（101）的衬底本体（1），相邻凸起结构之间具有隔离沟槽（103），在凸起结构的整个表面均分布有由二氧化硅材质的上部柱体微结构（1021）和与凸起结构一体结构且材质相同的下部柱体微结构（1022）组成的纳米级微结构（102）。本衬底中纳米级微结构相当于增加了凸起结构的密度，增大了其反射表面积，上部微结构设计为二氧化硅材质能够进一步提高衬底的反射率，提高LED器件的出光效率；增大了衬底C面图案化占比从而改善了侧向外延效果，有利于改善LED器件的内量子效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体，特别涉及一种具有微纳结构的图形化复合衬底及其外延结构。

技术介绍

1、半导体发光二极管(light-emission diodes，leds)因其具有体积小、能耗低、寿命长、环保耐用等优点，蓝、绿光gan基led芯片在显示、照明领域发展迅速；国内led照明已经取代普通照明约30％份额，为继续提高led在照明市场普及率，需要继续提升led在光亮度、光品质方面的性能。目前主流蓝绿gan基led外延片95％以上都是使用蓝宝石基板做衬底材料，蓝宝石衬底因硬度大、透光率高、工艺成熟等特点，在今后主流led市场仍将会是最主要的衬底材料。目前采用的蓝宝石衬底基本上都是进行了图形化( patterned sapphiresubstrates，pss)加工后再用于led外延生长。因为在pss衬底上生长氮化镓外延层可以减少外延缺陷，提高外延层晶体质量以提高led电学特性；另外，蓝宝石的折射率为1.8，氮化镓的折射率为2.5，由于折射率的差异，当光从氮化镓外延层进入蓝宝石图形衬底时，会形成全反射，从而改善gan基发光二极管出光率。基于pss衬底的外延材料制成的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有微纳结构的图形化衬底，其特征在于，包括表面具有微米级周期性排布的凸起结构（101）的衬底本体（1），相邻所述凸起结构（101）之间具有隔离沟槽（103），在所述凸起结构（101）的整个表面均分布有纳米级微结构（102）；所述纳米级微结构（102）由上部柱体微结构（1021）和下部柱体微结构（1022）组成，所述上部柱体微结构（1021）的材质为二氧化硅，所述下部柱体微结构（1022）与所述凸起结构（101）为一体结构且材质相同。

2. 根据权利要求1所述的具有微纳结构的图形化衬底，其特征在于，所述纳米级微结构（102）的粒径范围为50~500 nm，高度范围为5~...

【技术特征摘要】

1.一种具有微纳结构的图形化衬底，其特征在于，包括表面具有微米级周期性排布的凸起结构（101）的衬底本体（1），相邻所述凸起结构（101）之间具有隔离沟槽（103），在所述凸起结构（101）的整个表面均分布有纳米级微结构（102）；所述纳米级微结构（102）由上部柱体微结构（1021）和下部柱体微结构（1022）组成，所述上部柱体微结构（1021）的材质为二氧化硅，所述下部柱体微结构（1022）与所述凸起结构（101）为一体结构且材质相同。

2. 根据权利要求1所述的具有微纳结构的图形化衬底，其特征在于，所述纳米级微结构（102）的粒径范围为50~500 nm，高度范围为5~900 nm，间距范围为0~100 nm。

3.根据权利要求1所述的具有微纳结构的图形...

【专利技术属性】
技术研发人员：付星星，孙帅，芦玲，
申请(专利权)人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：