发光装置和电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光装置，在半导体基板(200)上设置有呈矩阵状排列的多个发光元件(300)，该发光元件被设置成被第一保护膜覆盖，该发光元件具有：叠层，包括第一电极(302)、设置在该第一电极上的发光层(304)、设置在该发光层上的第二电极(306)、以及设置在该第二电极上的第二保护膜(308)；以及侧壁(310)，由具有与形成第一保护膜的材料相比不同的折射率的材料形成，并且覆盖叠层的侧表面的至少一部分，侧壁从第二电极的上表面以上的位置沿堆叠方向自上而下延伸至发光层的上表面以下的位置处。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及发光装置和电子设备。

技术介绍

1、作为代替液晶显示装置的显示装置，已经开发了使用有机电致发光元件(以下，称为发光元件)的有机电致发光装置(以下，称为发光装置)。

2、发光装置的实施例包括顶部发射发光装置，其通过位于上侧的滤色器从位于下侧的发光元件的发光层向外部提取白光。顶部发射类型使得能够有效地提取光、消耗低功率和实现长寿命。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：jp 2011-65773a

6、专利文献2：jp 2014-35799a

7、专利文献3：jp 2014-197525 a

技术实现思路

1、技术问题

2、对于上述发光装置，随着发光元件的进一步小型化，强烈要求进一步提高光提取效率。然而，在常规技术中，在提高光提取效率方面存在限制。

3、因此，本公开提出了被配置为提供进一步提高的光提取效率的发光装置和电子设备。

4、问题的解决方案

5、根据本公开，提供了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光装置，包括

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第二电极、所述第一保护膜和所述第二保护膜以及所述侧壁由透光材料形成。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述侧壁沿所述堆叠方向自上而下延伸至所述发光层的下表面的位置处。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述侧壁沿所述堆叠方向自上而下延伸至所述第一电极的上表面之下的位置处。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述侧壁沿所述堆叠方向自下而上延伸至所述第二保护膜的上表面之上的位置处。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述侧壁由折射率比形成所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种发光装置，包括

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第二电极、所述第一保护膜和所述第二保护膜以及所述侧壁由透光材料形成。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述侧壁沿所述堆叠方向自上而下延伸至所述发光层的下表面的位置处。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述侧壁沿所述堆叠方向自上而下延伸至所述第一电极的上表面之下的位置处。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述侧壁沿所述堆叠方向自下而上延伸至所述第二保护膜的上表面之上的位置处。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述侧壁由折射率比形成所述第一保护膜的材料的折射率高的材料形成。

7.根据权利要求6所述的发光装置，其中，所述侧壁由折射率等于或小于形成所述第二保护膜的材料的折射率的材料形成。

8.根据权利要求7所述的发光装置，其中，所述侧壁由具有2.5或更小的折射率的材料形成。

9.根据权利要求1所述的发光装置，其中，在通过沿所述堆叠方向截取所述发光元件而得的截面中，所述侧壁具有大致半圆形形状、大致梯形形状、大致直角三角形形状、大致象限形状和矩形形状中的任一个。

10.根据权利要求1所述的发光装置，其中，一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤孝义，滨下大辅，笠原直也，白岩利章，小仓昌也，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：