含低卤化硅的复合颗粒制造技术

本发明专利技术涉及含低卤化硅的复合颗粒，其具有3.>30重量％的Si含量，4.放置在多孔基质的孔中和孔上的硅，5.0.0003至16重量％的卤素浓度，6.3至9的pH，和7.直径百分位数d50为0.5至20μm的体积加权粒度分布；涉及制备含低卤化硅的复合颗粒的方法；涉及用于锂离子电池的阳极材料，所述阳极材料含有所述复合颗粒；涉及阳极，其包括涂覆有所述的阳极材料的集电器；并且涉及锂离子电池，其包含至少一个阳极，所述阳极含有所述的复合颗粒。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

1.含低卤化硅的复合颗粒，其包含

2.根据权利要求1所述的复合颗粒，其中

3.根据前述权利要求中任一项所述的复合颗粒，其中硅至少部分地以低氯化硅SiClx的形式存在，其中x＝0.00001–0.15。

4.根据前述权利要求中任一项所述的复合颗粒，其包含至少30重量％的通过硅渗透获得的硅。

5.根据前述权利要求中任一项所述的复合颗粒，其中硅或低卤化硅以层的形式或以由厚度为至多1μm的硅颗粒形成的层的形式存在。

6.根据前述权利要求中任一项所述的复合颗粒，其具有至多170m2/g的比BET表面积。

7.制备根据前述权利要...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.含低卤化硅的复合颗粒，其包含

2.根据权利要求1所述的复合颗粒，其中

3.根据前述权利要求中任一项所述的复合颗粒，其中硅至少部分地以低氯化硅siclx的形式存在，其中x＝0.00001–0.15。

4.根据前述权利要求中任一项所述的复合颗粒，其包含至少30重量％的通过硅渗透获得的硅。

5.根据前述权利要求中任一项所述的复合颗粒，其中硅或低卤化硅以层的形式或以由厚度为至多1μm的硅颗粒形成的层的形式存在。

6.根据前述权利要求中任一项所述的复合颗粒，其具有至多170m2/g的比bet表面积。

7.制备根据前述权利要求中任一项所述的复合颗粒的方法，其包括在多孔颗粒存在下从硅前体进行硅渗透，所述硅前体选自在20℃和1013毫巴下为气态和/或液态的含卤素的硅前体和不含卤素的硅前体，其中存在至少一种含卤素的硅前体，所述多孔颗粒具有以下性质...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·卡尔雅基纳，C·德雷格，J·蒂尔曼，
申请(专利权)人：瓦克化学股份公司，
类型：发明
国别省市：