本发明专利技术提供一种用于原位测量膜厚的方法、参考光谱生成方法及设备，所述参考光谱生成方法包括：获取光谱计算模型，所述光谱计算模型中包括表面等效层和晶圆的参数，所述表面等效层至少用于模拟晶圆薄膜表面的体相水与晶圆薄膜表面之间的物质形成的层；确定所述表面等效层、晶圆薄膜和晶圆基底的光谱参数；利用所述光谱参数和所述光谱计算模型计算不同给定所述晶圆薄膜的厚度下的参考光谱。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆参数测量领域，具体涉及一种用于原位测量膜厚的方法、参考光谱生成方法及设备。
技术介绍
1、晶圆制造中，随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小，光刻(lithography)技术对晶圆表面的平坦程度(non-uniformity)的要求越来越高，而cmp（chemicalmechanical polish，化学机械抛光）技术近几十年大量应用于晶圆。cmp对抛光的精度要求非常高，为配合精度要求需要对晶圆薄膜进行精准测厚，由于cmp加工环境复杂，至今现有技术无法对晶圆薄膜实现光学非接触式原位测量，仅能使用将晶圆从cmp中取出进行离线测量以及其他终点测量，而终点测量仅能检测磨削终点，无法进行实时测量。
2、专利技术人在实施本实施例中，在对晶圆薄膜实现光学非接触式原位测量中，晶圆与探头之间会存在多种介质，例如玻璃、pu、抛光液等。在这几种介质的影响下，反射率光谱会发生“变形”现象，而现有技术中待测膜（晶圆薄膜）的理论光谱无法准确描述此“变形”现象，从而导致现有技术无法准确测量待测膜的准确厚度。
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【技术保护点】
1.一种用于原位测量膜厚的参考光谱生成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定所述表面等效层的光谱参数，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于, 根据所述理论光谱和所述实测光谱确定表面等效层的光谱参数，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述参考光谱包括波长与反射率的对应关系曲线。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光谱参数包括所述表面等效层的折射率、所述晶圆薄膜的折射率、所述晶圆基底的折射率。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述光谱计算模型包括：<...
【技术特征摘要】
1.一种用于原位测量膜厚的参考光谱生成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定所述表面等效层的光谱参数，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于, 根据所述理论光谱和所述实测光谱确定表面等效层的光谱参数，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述参考光谱包括波长与反射率的对应关系曲线。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光谱参数包括所述表面等效层的折射率、所述晶圆薄膜的折射率、所述晶圆基底的折射率。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述光谱计算模型包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，采用如下方式计算总反射系数：
8.根据权利要求7所述的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：孟炜涛，周惠言，蒋继乐，
申请(专利权)人：北京特思迪半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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