【技术实现步骤摘要】
本公开涉及基座，更具体地，涉及安装在用于制造半导体装置的衬底处理装置中以便支承衬底的基座以及制造该基座的方法。
技术介绍
1、用于半导体装置制造工艺之中的沉积工艺或蚀刻工艺的衬底处理装置包括在工艺期间供衬底安置并支承在其上的基座。基座可以包括静电卡盘(esc)。esc可以利用静电力将衬底吸附和夹持在表面上。静电力可以通过向埋设在esc中的电极施加电压而产生。esc可以广泛地用于例如不容易应用现有的真空卡盘的高真空环境中。目前，为了提高蚀刻工艺的生产率，施加到基座的偏置功率从约30kw逐渐增加到约60kw或更多。因此，需要可应用于下一代工艺的esc结构。
2、根据现有的esc，通常使用利用粘合剂的联接方法来将过滤器结合在气体通道附近或者将esc结合到底板。在这种方法中，分布在气体通道附近的粘合剂的特定成分可能蒸发。从粘合剂蒸发的成分可能在气体通道中引起电弧放电。电弧放电问题随着施加到基座的偏置功率的增加而增加。此外，从粘合剂蒸发的成分可能沿着气体通道移动，从而污染气体通道和衬底的背面，从而使夹持在esc上的衬底劣化。此外，用于...
【技术保护点】
1.一种制造基座的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬套和所述过滤器由具有相同的主要成分的陶瓷材料制成。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述过滤器预制件包括造孔剂。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述衬套-过滤器组件包括通过去除所述过滤器预制件中的所述造孔剂来将所述过滤器预制件转变成多孔烧结体。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述衬套-过滤器组件包括将所述衬套预制件转变成不包括孔的致密烧结体。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述共烧结包括无压烧结或加
【技术特征摘要】
1.一种制造基座的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬套和所述过滤器由具有相同的主要成分的陶瓷材料制成。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述过滤器预制件包括造孔剂。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述衬套-过滤器组件包括通过去除所述过滤器预制件中的所述造孔剂来将所述过滤器预制件转变成多孔烧结体。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述衬套-过滤器组件包括将所述衬套预制件转变成不包括孔的致密烧结体。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述共烧结包括无压烧结或加压烧结。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述加压烧结包括热等静压烧结或热压烧结。
8.根据权利要求2所述的方法，其中，所述陶瓷材料包括氧化铝、氮化铝、碳化硅和氧化铝-碳化硅复合材料中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述衬套-过滤器组件中，所述衬套与所述过滤器之间的界面通过在不使用由非均质材料制成的粘合层的情况下将所述过滤器直接烧结结合到所述衬套而形成。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述过滤器容纳部具有埋头钻或埋头孔形状。<...
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