有机金属化合物、包括其的抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法技术

提供有机金属化合物、包括其的抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法，所述有机金属化合物由下式1‑1至1‑4之一表示。对于式1‑1至1‑4中的M<subgt;11</subgt;、L<subgt;11</subgt;‑L<subgt;14</subgt;、a11‑a14、R<subgt;11</subgt;‑R<subgt;14</subgt;、X<subgt;11</subgt;‑X<subgt;14</subgt;、n11‑n15、Y<subgt;11</subgt;‑Y<subgt;13</subgt;、和R<subgt;15</subgt;‑R<subgt;17</subgt;的描述，参见说明书。

【技术实现步骤摘要】

实施方式涉及有机金属化合物、包括其的抗蚀剂组合物、和使用其的图案形成方法。

技术介绍

1、为了在制造半导体时形成精细图案，可使用其物理性质响应于光而改变的抗蚀剂。在它们之中，化学放大抗蚀剂已经被广泛使用。在化学放大抗蚀剂中，通过光和光致产酸剂之间的反应形成的酸再与基础树脂反应，以改变该基础树脂对显影液的溶解性，由此实现图案化。

2、然而，当使用化学放大抗蚀剂时，所形成的酸可扩散到未曝光区域，由此导致图案的均匀性降低、表面粗糙度增加等等。此外，随着半导体工艺尺度(规模，scale)变得越来越精细，酸的扩散控制可不容易，并且因此可需要开发新型抗蚀剂。

3、近来，为了克服化学放大抗蚀剂的限制，已经尝试开发其物理性质通过曝光而改变的材料。然而，在以下方面仍然存在限制：曝光所需要的剂量高。

技术实现思路

1、因此，实施方式提供如下有机金属化合物、使用其的抗蚀剂组合物和图案形成方法：即使通过低剂量辐射曝光，其物理性质也改变，并且其提供具有改善的分辨率的图案。

2、另外的方面将部分地在随本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.有机金属化合物，其由下式1-1至1-4的任一个表示：

2.如权利要求1所述的有机金属化合物，其中

3.如权利要求1所述的有机金属化合物，

4.如权利要求1所述的有机金属化合物，其中

5.如权利要求1所述的有机金属化合物，其中

6.如权利要求1所述的有机金属化合物，其中*-R11-(X11)n11由下式2-1至2-18的任一个表示，

7.如权利要求6所述的有机金属化合物，其中

8.如权利要求1所述的有机金属化合物，

9.如权利要求1所述的有机金属化合物，

10.如权利要求1所述的...

【技术特征摘要】

1.有机金属化合物，其由下式1-1至1-4的任一个表示：

2.如权利要求1所述的有机金属化合物，其中

3.如权利要求1所述的有机金属化合物，

4.如权利要求1所述的有机金属化合物，其中

5.如权利要求1所述的有机金属化合物，其中

6.如权利要求1所述的有机金属化合物，其中*-r11-(x11)n11由下式2-1至2-18的任一个表示，

7.如权利要求6所述的有机金属化合物，其中

8.如权利要求1所述的有机金属化合物，

9.如权利要求1所述的有机金属化合物，

10...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩盛现，高行德，郭允铉，金璟梧，金美静，李在俊，李河燮，林圭铉，洪锡九，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：