【技术实现步骤摘要】
本文中所描述的本专利技术构思的实施方案涉及一种基板处理装置和方法，更具体地，涉及一种用于通过将处理液供应至基板上来处理基板的基板处理装置和方法。
技术介绍
1、为了制造半导体元件，所期望的图案通过基板上进行诸如光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、离子注入工艺以及薄膜沉积工艺的各种工艺来形成在基板(例如，晶圆)上。在各工艺中，使用了各种处理液和处理气体，并且在该工艺期间产生颗粒和工艺副产物。为了从基板上去除基板上的薄膜、颗粒和工艺副产物，在每个工艺之前和之后对基板执行液体处理工艺。通常，在液体处理工艺中，用化学品处理基板，然后基板上的化学品用冲洗液去除，然后干燥。
2、例如，如果使用磷酸溶液作为化学品，则将基板浸入填充在化学品槽中的高温磷酸溶液中，以用磷酸溶液处理基板。此后，将基板浸入填充在冲洗槽中的高温纯水中，以冲洗基板。
3、然而，在上述方法的情况下，在冲洗槽中残留在基板上的细小的磷酸盐颗粒不容易从基板分离，或者不会被排放至冲洗槽的外部。
技术实现思路
1、本专利技术构...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括控制器，所述控制器配置为控制所述第一处理液供应单元和所述第二处理液供应单元，并且
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制冷却器，使得所述第二处理液被冷却至比所述第一处理液的凝固点低的温度。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述液体处理腔室包括：
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述第二处理槽包括：
7.根...
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括控制器，所述控制器配置为控制所述第一处理液供应单元和所述第二处理液供应单元，并且
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制冷却器，使得所述第二处理液被冷却至比所述第一处理液的凝固点低的温度。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述液体处理腔室包括：
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述第二处理槽包括：
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述冷却器设置在所述循环管线处。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述支承单元定位在所述内槽处，并且
9.根据权利要求5所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括：
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述液体处理单元包括在其中提供处理空间的杯，并且<...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔峻荣，朴贵秀，张瑛珍，李恩姃，林俊铉，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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