【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，尤其是涉及一种金属-绝缘层-硅变容器(metalinsulating silicon varactor，简称misvar)的布局图案以及其制作方法。
技术介绍
1、变容器(varactor)为具有压敏电容(voltage-sensitive capacitance)的半导体装置。通常与绝缘体接触的半导体表面上的空间电荷区以及累积随着所施加的电压而变，以产生偏压相依电容。
2、许多电子电路内都可有利地运用变容器内电容的变化(variability)，而在放大器、震荡器以及频率合成器内提供有用的功能。例如：变容器可用来建构电压控制震荡器(vco,“voltage-controlled oscillators”)，其产生可调整的稳定频率，而不必运用具有多个震荡器的电路。
3、另外，许多半导体电路都需要变容器以及线性电容器。因此，具有大电容变化范围的变容器，或是少漏电流的变容器，是变容器的发展方向之一。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种半导体变...
【技术保护点】
1.一种半导体变容器的布局图案，包含:
2.如权利要求1所述的半导体变容器的布局图案，其中该栅极金属层电连接至第一端口。
3.如权利要求1所述的半导体变容器的布局图案，其中还包含有多个源/漏极区，位于该些第一栅极结构之间。
4.如权利要求3所述的半导体变容器的布局图案，其中还包含有源/漏极金属层，电连接该多个源/漏极区。
5.如权利要求4所述的半导体变容器的布局图案，其中该源/漏极金属层电连接至第二端口。
6.如权利要求1所述的半导体变容器的布局图案，其中还包含有至少一电位接点(wellpickup)结构，位...
【技术特征摘要】
1.一种半导体变容器的布局图案，包含:
2.如权利要求1所述的半导体变容器的布局图案，其中该栅极金属层电连接至第一端口。
3.如权利要求1所述的半导体变容器的布局图案，其中还包含有多个源/漏极区，位于该些第一栅极结构之间。
4.如权利要求3所述的半导体变容器的布局图案，其中还包含有源/漏极金属层，电连接该多个源/漏极区。
5.如权利要求4所述的半导体变容器的布局图案，其中该源/漏极金属层电连接至第二端口。
6.如权利要求1所述的半导体变容器的布局图案，其中还包含有至少一电位接点(wellpickup)结构，位于该多个变容器单元旁。
7.如权利要求6所述的半导体变容器的布局图案，其中该电位接点结构包含有多个第二栅极结构，其中该第二栅极结构的长度小于该变容器单元中的该些第一栅极结构的长度。
8.如权利要求1所述的半导体变容器的布局图案，其中各该变容器单元中，该些第一栅极结构的数量大于6。
9.如权利要求1所述的半导体变容器的布局图案，其中还包含有多个虚设栅极结构，位于该些第一栅极结构的两侧。
10.如权利要求1所述的半导体变容器的布局图案，其中该半导体变容器包含有多个该变容器单元沿着第一方向排列于该基底上，且该鳍状结构沿着第二方向延伸，其中该第一方向与该第二方向相互垂直。
11.一种半导体变容器的布局图案的制作方法，包含:
12...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪庆文，陈芃秀，谢素明，陈樱仁，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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