【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种薄膜晶体管基板、薄膜晶体管基板的制造方法以及包括该薄膜晶体管基板的显示装置。
技术介绍
1、由于薄膜晶体管可以制造于玻璃基板或塑料基板上，从而薄膜晶体管被广泛用作用于诸如液晶显示装置或有机发光装置的显示器的开关器件或驱动器件。
2、通常，使显示装置中使用的开关薄膜晶体管具有大的导通电流(ion)以改善开关特性，以及使显示装置中使用的驱动薄膜晶体管具有用于灰度级表现的大的s因子可以是有利的。
3、然而，由于导通电流与s因子一般具有权衡关系，增大导通电流倾向于减小s因子，而增大s因子倾向于减小导通电流。
4、因此，需要一种在同一基板上高效地形成s因子大的一个薄膜晶体管和导通电流大的另一个薄膜晶体管的方法。
技术实现思路
1、本公开是鉴于上述问题而作出的，并且本公开的一个目的是提供一种薄膜晶体管基板和包括该薄膜晶体管基板的显示装置，该薄膜晶体管基板具有由于其大的s因子而能够容易地用于驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管和能够容易地用于开关薄膜晶体管的第
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管基板，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一下有源层包含与所述第二下有源层相同的半导体材料并且与所述第二下有源层设置于同一层，并且
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括：栅极绝缘层，在所述第一栅极与所述第一有源层之间，
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，还包括：第一连接电极，位于所述栅极绝缘层上并且接合到所述第一上导体化部，
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一连接电极的至少一部分与所述第一栅极位于同一层，并且
6.根据权利要求4所述...
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管基板，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一下有源层包含与所述第二下有源层相同的半导体材料并且与所述第二下有源层设置于同一层，并且
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括：栅极绝缘层，在所述第一栅极与所述第一有源层之间，
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，还包括：第一连接电极，位于所述栅极绝缘层上并且接合到所述第一上导体化部，
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一连接电极的至少一部分与所述第一栅极位于同一层，并且
6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其中，所述栅极绝缘层包括与所述第一栅极重叠的第一栅极绝缘层和与所述第一连接电极重叠的第二栅极绝缘层，并且
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一下有源层包括与所述第一栅极重叠的第一沟道部、与所述第一上有源层重叠的第一连接部以及设置在所述第一沟道部与所述第一连接部之间的第一下导体化部。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括：栅极绝缘层，位于所述第二栅极与所述第二有源层之间，
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第二上有源层包括与所述第二栅极重叠的第二沟道部，以及位于所述第二沟道部与所述第二上导体化部之间的第三上导体化部。
10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板，还包括：第二连接电极，位于所述栅极绝缘层上并且接合到所述第二上导体化部，
11.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第二下有源层在与第三上导体化部重叠的区域包括第二下导体化部。
12.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第二下有源层在与所述第二栅极重叠的区域包括第三沟道部。
13.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括：第一遮光层，接合到所述第一源极，设置在所述第一有源层下方，并与所述第一有源层重叠。
14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一遮光层与所述第一有源层的一部分不重叠。
15.根据权利要求13所述的薄膜晶体管基板，还包括：第二遮光层，设置在...
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