本申请公开了一种屏蔽栅功率晶体管及其制备方法，包括衬底、外延层，设置于衬底上，包括背向衬底一侧的第一表面，以及沿第一表面分布的多个元胞部，元胞部内形成有屏蔽栅结构和控制栅结构，其中，控制栅结构包括控制栅和形成于控制栅的阻容部，屏蔽栅结构包括本体部，本体部沿垂直于自身长度方向的截面中，沿远离控制栅结构的方向的尺寸呈阶梯状递减，单位面积内阻容部与本体部之间的寄生电容小于单位面积内控制栅与本体部之间的寄生电容。本申请提供的屏蔽栅功率晶体管中控制栅与屏蔽栅结构之间的寄生电容大大减小，从而减小了屏蔽栅功率晶体管的开关损耗，提升了屏蔽栅功率晶体管的开关速度，使得屏蔽栅功率晶体管的性能得到提升。
【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，尤其涉及一种屏蔽栅功率晶体管及其制备方法。
技术介绍
1、屏蔽栅场效应晶体管(shielding gate trench mosfet，简称sgt-mosfet)是一种功率器件，具有良好的优值因子(figure of merit，fom)、低比导通电阻(ron，sp)和低栅电荷(qg)等特性，在半导体器件领域中扮演非常重要的角色。sgt mosfet结构中屏蔽栅结构可以作为场板来降低体内漂移区电场，从而提高漂移区浓度以降低其电阻，在相同击穿电压下获得比普通沟槽mosfet更低的导通电阻。采用t型或阶梯型屏蔽栅结构可以在相同击穿电压下进一步降低sgt mosfet的导通电阻，但是会引入额外的栅电容从而导致sgtmosfet的开关特性变差。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种屏蔽栅功率晶体管及其制备方法，可减小屏蔽栅结构与控制栅结构之间的寄生电容，提升屏蔽栅功率晶体管的开关特性。
2、本申请实施例第一方面的实施例提供了一种屏蔽栅功率晶体管，包括：
>3、衬底；本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种屏蔽栅功率晶体管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的屏蔽栅功率晶体管，其特征在于，所述阻容部包括沿所述控制栅的厚度方向贯穿所述控制栅的过孔，所述过孔在所述本体部上的正投影位于所述本体部内。
3.根据权利要求2所述的屏蔽栅功率晶体管，其特征在于，所述过孔的数量为一个，且所述过孔将所述控制栅隔断为第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分沿所述控制栅的宽度方向排列。
4.根据权利要求3所述的屏蔽栅功率晶体管，其特征在于，所述屏蔽栅结构还包括伸出部，所述伸出部位于所述本体部朝向所述控制栅结构一侧，所述屏蔽栅结构沿垂直于自身长度方向的截面...
【技术特征摘要】
1.一种屏蔽栅功率晶体管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的屏蔽栅功率晶体管，其特征在于，所述阻容部包括沿所述控制栅的厚度方向贯穿所述控制栅的过孔，所述过孔在所述本体部上的正投影位于所述本体部内。
3.根据权利要求2所述的屏蔽栅功率晶体管，其特征在于，所述过孔的数量为一个，且所述过孔将所述控制栅隔断为第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分沿所述控制栅的宽度方向排列。
4.根据权利要求3所述的屏蔽栅功率晶体管，其特征在于，所述屏蔽栅结构还包括伸出部，所述伸出部位于所述本体部朝向所述控制栅结构一侧，所述屏蔽栅结构沿垂直于自身长度方向的截面形状为十字形，所述屏蔽栅功率晶体管还包括位于所述外延层背离所述衬底一侧的源极金属层，所述伸出部靠近所述源极金属层的一端穿过所述过孔后与所述源极金属层连接。
5.根据权利要求2所述的屏蔽栅功率晶体管，其特征在于，所述过孔的数量为多个，多个所述过孔沿所述控制栅的长度方向排...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯新，张耀辉，黄安东，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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