【技术实现步骤摘要】
本申请涉及碳化硅外延晶片加工，具体涉及一种碳化硅外延晶片内外圆加工设备。
技术介绍
1、碳化硅材料由于具有耐高温、耐磨、耐腐蚀以及高热导、高绝缘性等性能而被应用于电子工业中，例如可以用于超大规模集成电路基片。在将碳化硅材料用于制备碳化硅外延晶片时，制造工艺多且复杂。尤其在制备环形的碳化硅外延晶片的过程中，环形的碳化硅外延晶片的外延层的内圆的边缘和外圆的边缘一般会存在超出基底层的部分，而导致无法作为合格产品使用。因此，需要通过加工设备对碳化硅外延晶片的外延层的边缘超出部分进行切磨。但是，目前的加工设备仅能满足单个碳化硅外延晶片的外延层的切磨加工，加工效率较低，且加工过程中切磨的稳定性差，容易造成产品报废。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供了一种碳化硅外延晶片内外圆加工设备，解决了对碳化硅外延晶片的外延层的边缘超出部分进行加工时，无法兼顾加工精度和加工效率的问题。
2、本申请提供了一种碳化硅外延晶片内外圆加工设备，用于至少一个环状的碳化硅外延晶片的加工，碳化硅外延晶片具有第一...
【技术保护点】
1.一种碳化硅外延晶片内外圆加工设备，其特征在于，用于至少一个环状的碳化硅外延晶片的加工，所述碳化硅外延晶片具有第一轴线，所述碳化硅外延晶片包括层叠的基底层和外延层；其中，所述碳化硅外延晶片内外圆加工设备包括：
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延晶片内外圆加工设备，其特征在于，所述第一调节部件包括：
3.根据权利要求2所述的一种碳化硅外延晶片内外圆加工设备，其特征在于，所述第一调节部件还包括：
4.根据权利要求2所述的一种碳化硅外延晶片内外圆加工设备，其特征在于，所述定位组件还包括：
5.根据权利要求4所述的一种碳化...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅外延晶片内外圆加工设备，其特征在于，用于至少一个环状的碳化硅外延晶片的加工，所述碳化硅外延晶片具有第一轴线，所述碳化硅外延晶片包括层叠的基底层和外延层；其中，所述碳化硅外延晶片内外圆加工设备包括：
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延晶片内外圆加工设备，其特征在于，所述第一调节部件包括：
3.根据权利要求2所述的一种碳化硅外延晶片内外圆加工设备，其特征在于，所述第一调节部件还包括：
4.根据权利要求2所述的一种碳化硅外延晶片内外圆加工设备，其特征在于，所述定位组件还包括：
5.根据权利要求4所述的一种碳化硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱淋鹏，廖家豪，窦坤鹏，柴攀，万强，
申请(专利权)人：湖南德智新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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