一种基于异向导电材料的内埋芯片制作工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种，具体包括如下工艺流程：贴铜箔→钻工具孔→贴芯片→叠板压合→激光钻孔→填孔电镀→分板→线路→阻焊→表面处理；其中，贴芯片：使用芯片自动贴片机，将黏附有“异向导电材料”的芯片准确贴合在铜箔的目标位置处，芯片的I/O盘面向下，朝向铜箔，同时，异向导电材料在压力下实现I/O盘与铜箔电性导通；本发明专利技术通过片状的“异向导电材料”作为内埋芯片与外层线路的互连导通层的结构方式，没有了传统工艺中导通孔加工过程中的对位精度问题，仅要求外层线路与内埋芯片I/O盘间的对位，从而减少了互连错位风险的导入因素，大大改善了芯片内埋电路板的导通对位问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及印制电路板，特别是一种基于异向导电材料的内埋芯片制作工艺。

技术介绍

1、如图1-1至图1-10所示，现有的内埋芯片工艺常规设计是通过金属化的激光钻孔来实现内埋芯片与外层图形的导通，其工艺流程如下：

2、贴铜箔→钻工具孔→贴芯片→叠板压合→激光钻孔→填孔电镀→分板→线路→阻焊→表面处理；

3、贴铜箔：将一张铜箔贴在支撑板（carrier）表面；

4、钻工具孔：使用机械钻孔机在铜箔及支撑板上钻出工具孔，为后工序作定位使用；

5、贴芯片：使用自动贴片设备，使用“粘结剂”材料将芯片贴合在铜箔固定位置上（芯片i/o盘面向上），通过后固化处理，把芯片固定在内层铜箔上；

6、叠板压合：完成芯片贴合后，在芯片上层预叠树脂薄膜与铜箔，利用层压技术实现增层，将芯片内埋于基板中，并钻出外层工具孔；

7、激光钻孔：采用激光钻孔技术，使用镭射机在板面钻出芯片连接导通孔和层间导通孔；

8、填孔电镀：利用填孔电镀技术，将两种导通孔镀上铜,使芯片与外层导通以及双面板层间导通；

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【技术保护点】

1.一种基于异向导电材料的内埋芯片制作工艺，具体包括如下工艺流程：

2.根据权利要求1所述的基于异向导电材料的内埋芯片制作工艺，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的基于异向导电材料的内埋芯片制作工艺，其特征在于，所述贴芯片步骤中，贴合条件：贴压温度130-160度，时间：5秒，压力范围：40-80MPa。

4.根据权利要求2所述的基于异向导电材料的内埋芯片制作工艺，其特征在于，所述叠板压合步骤中，介电层采用叠合的方式，所述介电层为80um厚开槽的树脂薄膜半固化片+150um厚开槽的无铜CCL+80um厚树脂薄膜半固化片，压合后总厚度约为250-300...

【技术特征摘要】

1.一种基于异向导电材料的内埋芯片制作工艺，具体包括如下工艺流程：

2.根据权利要求1所述的基于异向导电材料的内埋芯片制作工艺，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的基于异向导电材料的内埋芯片制作工艺，其特征在于，所述贴芯片步骤中，贴合条件：贴压温度130-160度，时间：5秒，压力范围：40-80mpa。

4.根据权利要求2所述的基于异向导电材料的内埋芯片制作工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙炳合，张海，张健，孙剑，徐缓，
申请(专利权)人：江苏博敏电子有限公司，
类型：发明
国别省市：