【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种在非故意掺杂氧化镓衬底形成欧姆接触的方法。
技术介绍
1、β-氧化镓(ga2o3)半导体材料具备大的击穿场强、高的巴利伽优值(baliga’sfigure-of-merit，bfom)指数、强的抗辐照特性及更低的材料成本(六英寸单晶衬底成本是同尺寸碳化硅衬底的三分之一)等优点。在发展低成本、耐高温、超高耐压、高功率密度、低损耗、强抗辐照的先进电力电子器件、多功能光电器件及信息集成器件等领域具有很大潜力，受到学术界和产业界的高度重视，是目前宽禁带半导体研究的热点材料。实现良好欧姆接触是氧化镓器件制备的关键工艺。
2、当前在氧化镓半导体材料和金属层之间形成欧姆接触通常采用si离子注入技术，形成重掺杂氧化镓，之后在经过离子注入后的氧化镓半导体材料上沉积低功函数金属层，形成欧姆接触。但是离子注入成本较高，并且离子注入会导致氧化镓晶格的损伤和变形，在氧化镓半导体材料中引入附加缺陷。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请的目的在于提供一种在非故意掺杂氧化...
【技术保护点】
1.一种在非故意掺杂氧化镓衬底形成欧姆接触的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述氧化镓衬底上形成金属层之前，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述等离子体为惰性气体电离得到，所述第三预设时长小于1分钟。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用腐蚀性溶液对所述氧化镓衬底进行腐蚀包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述氧化镓衬底上形成金属层之前，所述方法还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述...
【技术特征摘要】
1.一种在非故意掺杂氧化镓衬底形成欧姆接触的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述氧化镓衬底上形成金属层之前，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述等离子体为惰性气体电离得到，所述第三预设时长小于1分钟。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用腐蚀性溶液对所述氧化镓衬底进行腐蚀包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述氧化镓衬底上形成金属层之前，所述方法还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘兴林，魏强民，叶镭，黄俊，张婷，
申请(专利权)人：湖北九峰山实验室，
类型：发明
国别省市：
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