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本申请提供一种在非故意掺杂氧化镓衬底形成欧姆接触的方法，方法包括：提供氧化镓衬底，在惰性气体氛围下对氧化镓衬底在第一目标温度退火第一预设时长，第一预设时长大于1小时，第一目标温度大于500℃，这样经过长时间高温退火可以在氧化镓衬底形成大量氧...
该专利属于湖北九峰山实验室所有，仅供学习研究参考，未经过湖北九峰山实验室授权不得商用。

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