【技术实现步骤摘要】
本公开涉及存储器器件及其制造方法。
技术介绍
1、通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，平面存储单元被缩放到更小的尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂。作为结果，平面存储单元的存储密度接近上限。
2、三维(3d)存储器架构可以解决平面存储单元中的密度限制。3d存储器架构包括存储器阵列和用于促进存储器阵列的操作的外围电路。
技术实现思路
1、在一个方面，公开了一种存储器器件。该存储器器件包括设置在第一半导体层的第一侧上的存储单元的阵列，以及设置在存储单元的阵列上的焊盘输出结构。存储单元中的每个存储单元包括：在第一方向上延伸的半导体主体，第一端子和第二端子形成在半导体主体的两端处，第一端子与第一半导体层的第一侧接触；在垂直于第一方向的第二方向上延伸的字线；以及在第二方向上延伸的板线。
2、在一些实施方式中，焊盘输出结构与第二端子接触。在一些实施方式中，焊盘输出结构设置在第一半导体层的第二侧上。在一些实施方式中，...
【技术保护点】
1.一种存储器器件，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述焊盘输出结构与所述第二端子接触。
3.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述焊盘输出结构设置在所述第一半导体层的第二侧上。
4.根据权利要求3所述的存储器器件，其中，所述第二端子与第二半导体层接触。
5.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括：
6.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述字线和所述板线与所述半导体主体直接接触。
7.根据权利要求6所述的存储器器件，其中，所述字线包括导电层、位于所述导电层之上的粘合层以...
【技术特征摘要】
1.一种存储器器件，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述焊盘输出结构与所述第二端子接触。
3.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述焊盘输出结构设置在所述第一半导体层的第二侧上。
4.根据权利要求3所述的存储器器件，其中，所述第二端子与第二半导体层接触。
5.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括：
6.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述字线和所述板线与所述半导体主体直接接触。
7.根据权利要求6所述的存储器器件，其中，所述字线包括导电层、位于所述导电层之上的粘合层以及位于所述粘合层之上的高介电常数电介质层，其中，所述高介电常数电介质层与所述半导体主体直接接触。
8.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括：
9.根据权利要求8所述的存储器器件，其中，所述分裂结构包括：
...【专利技术属性】
技术研发人员：张坤，杨远程，周文犀，夏志良，赵冬雪，杨涛，刘磊，王迪，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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