存储阵列及制备方法、存储器及电子设备技术

本申请实施例公开了一种存储阵列及制备方法、存储器及电子设备，该存储阵列包括：衬底，以及设置在该衬底上的多个叠层结构；沿第一方向依次设置的存储区域和与该存储区域对应的第一台阶区域；其中，该存储区域包括多个存储单元；该第一台阶区域包括沿第二方向排列的多个第一台阶组，每个该第一台阶组包括多个台阶；每个该台阶沿该第二方向延伸；其中，该第一方向和该第二方向相垂直且平行于该衬底。由此，第一台阶结构包括多个台阶组，且每个台阶组的台阶向和该台阶组相邻的台阶组的方向延伸，因此，多个台阶组中具有多个高度相同的台阶，增加了相同高度的台阶的数量，提高了存储密度。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及半导体设计制造，特别是涉及一种存储阵列及制备方法、存储器及电子设备。

技术介绍

1、现有技术中，三维存储阵列采用平板堆叠集成方案能够有效降低工艺难度，提高存储密度。平板堆叠方案中，每一层平板通过台阶结构引出接触孔，再通过金属走线连接到前道的平板驱动电路。

2、图5为现有技术提供的一种叠层结构的结构示意图。如图5所示，该叠层结构01包括沿z轴依次设置的多个叠层011、布线层012。

3、其中，多个叠层011包括交替设置的多个绝缘层和多个导电层。

4、叠层结构01包括：沿第二方向设置的存储区域013和台阶结构014。

5、台阶结构014包括多个台阶015，每个台阶015包括沿y方向延伸的台阶，其中，每个台阶的台阶面均为裸露的导电层，该台阶015通过电连接件016和布线层012连接。

6、布线层012包括：多个连接线0121，该连接线0121与台阶015一一相对，每个台阶015通过多个电连接件016和一个连接线0121连接。

7、然而，随着多个叠层011层数的增加，台阶结构0本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储阵列，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，沿第二方向排列的相邻两个所述第一台阶组在所述衬底上的投影呈轴对称排布。

3.根据权利要求1或2所述的存储阵列，其特征在于，所述叠层结构还包括：与所述存储区域对应的第二台阶区域，所述第二台阶区域位于所述存储区域远离所述第一台阶区域的一侧；

4.根据权利要求1-3任一项所述的存储阵列，其特征在于，所述叠层结构包括沿第三方向层叠设置的多个叠层；所述第三方向垂直于所述衬底；

5.根据权利要求1-4任一项所述的存储阵列，其特征在于，所述叠层结构还包括：层叠设置的第一布...

【技术特征摘要】

1.一种存储阵列，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，沿第二方向排列的相邻两个所述第一台阶组在所述衬底上的投影呈轴对称排布。

3.根据权利要求1或2所述的存储阵列，其特征在于，所述叠层结构还包括：与所述存储区域对应的第二台阶区域，所述第二台阶区域位于所述存储区域远离所述第一台阶区域的一侧；

4.根据权利要求1-3任一项所述的存储阵列，其特征在于，所述叠层结构包括沿第三方向层叠设置的多个叠层；所述第三方向垂直于所述衬底；

5.根据权利要求1-4任一项所述的存储阵列，其特征在于，所述叠层结构还包括：层叠设置的第一布线层和第二布线层，其中，所述第一布线层设置在所述叠层结构远离所述衬底的一侧，所述第二布线层设置在所述第一布线层远离所述叠层结构的一侧；

6.根据权利要求5所述的存储阵列，其特征在于，多个所述第一连接线沿所述第二方向依次排列；多个所述第二连接线沿所述第一方向依次排列。

7.根据权利要求5或6所述的存储阵列，其特征在于，所述第一电连接件垂直于所述第一连接线，所述第二电连接件垂直于所述第二连接线。

8.根据权利要求5-7任一项所述的存储阵列，其特征在于，所述叠层结构还包括：第三布线层，所述第三布线层设置在所述叠层结构远离所述第二布线层的一侧，所述第一布线层还包括：多个第三连接线，所述第二布线层通过第三电连接件与所述第三连接线连接，所述第三连接线通过第四连接件和所述第三布线层连接，所述第三布线层用于和前道驱动电路连接。

9.根据权利要求8所述的存储阵列，其特征在于，相邻台阶组之间设置有间隙，所述第四电连接件设置在所述间隙中。

10.根据权利要求1-9任一项所述的存储阵列，其特征在于，所述叠层结构包括沿第三方向交替设置的多个绝缘层和多个导电层。

11.根据权利要求10所述的存储阵列，其特征在于，所述导电层为板线，所述存储阵列还包括：字线和位线，所述字线和所述位线设置在所述叠层结构远离所述第二布线层的一侧，所述字线和所述位线的延伸方向垂直。

12.根据权利要求10或1...

【专利技术属性】
技术研发人员：林琪，陈华威，卜思童，丁士成，方亦陈，徐亮，许俊豪，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：