【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片制造领域,尤其涉及一种用于芯片制造的塑料夹具的表面处理方法。
技术介绍
1、在芯片制造领域内,塑料夹具因其质地较软,不容易划伤产品而得到广泛的应用。然而,塑料夹具容易产生静电,在遇到半导体时会产生静电放电,从而击穿里面的电路。对此,传统的制造方法对塑料纤维进行金属处理,即将塑料与金属粉或碳纤维混合、或是金属网植入,以释放静电。然而,此种方法比较复杂,不利于当前的生产需要。
2、因此,亟待提供一种改进的塑料夹具的表面处理方法以克服以上缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种塑料夹具的表面处理方法,由此获得防静电保护功能,保护芯片产品的性能,而且方法简单、成本低。
2、为实现上述目的,本专利技术的塑料夹具的表面处理方法,包括:
3、在真空镀膜室中对塑料夹具的表面镀上金属合金层;以及
4、将所述塑料夹具从所述真空镀膜室取出,在所述金属合金层上涂覆抗静电清漆层。
5、与现有技术相比,本专利技术首先在塑料夹具
...【技术保护点】
1.一种塑料夹具的表面处理方法,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的塑料夹具的表面处理方法,其特征在于:所述金属合金层通过离子溅射形成。
3.如权利要求2所述的塑料夹具的表面处理方法,其特征在于,所述离子溅射的工艺条件包括:将真空镀膜室抽真空至4.0×10-3Pa–5.0×10-3Pa,充入氩气,使得真空镀膜室的真空度为5.0×10-2Pa,对合金金属靶材进行离子轰击。
4.如权利要求3所述的塑料夹具的表面处理方法,其特征在于,所述离子溅射的工艺条件还包括:控制电压为2.5Kv-3.0Kv,电流为5A-15A。
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...【技术特征摘要】
1.一种塑料夹具的表面处理方法,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的塑料夹具的表面处理方法,其特征在于:所述金属合金层通过离子溅射形成。
3.如权利要求2所述的塑料夹具的表面处理方法,其特征在于,所述离子溅射的工艺条件包括:将真空镀膜室抽真空至4.0×10-3pa–5.0×10-3pa,充入氩气,使得真空镀膜室的真空度为5.0×10-2pa,对合金金属靶材进行离子轰击。
4.如权利要求3所述的塑料夹具的表面处理方法,其特征在于,所述离子溅射的工艺条件还包括:控制电压为2.5kv-3.0kv,电流为5a-15a。
5.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:魏立春,
申请(专利权)人:东莞新科技术研究开发有限公司,
类型:发明
国别省市:
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