一种MIPLED发光单元及基板制造技术

本技术提供一种MIPLED发光单元，包括基板，在基板的上方设有封装层，在封装层内的基板设有一个以上的LED芯片；在基板上开设有凹槽，所述LED芯片的焊盘位于凹槽两侧的基板上；所述凹槽位于LED芯片的下方，在凹槽内设有反射层；上述的结构，通过在MIPLED芯片的底部设置凹槽，且在凹槽内设置反射层，从而使得MIPLED芯片底部焊盘之间的发光区域发出的光能够被反射层反射回基板的表面，从而即可提高MIPLED发光单元的发光亮度。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及led器件，具体涉及一种mipled发光单元及基板。

技术介绍

1、随着led芯片尺寸进一步缩小，市场对与小间距（像素间距<0.4 mm）led显示产品抱有极大的期待。

2、然而小间距led显示需要有能短时间内转移大量led芯片到基体上的技术（巨量转移技术)才能实现。基于目前巨量转移技术的困境，mip led 芯片技术应运而生，mip是一种芯片级的封装技术，具体制程是：在外延片上将micro led芯片巨量转移到载板上，然后直接封装，切割后再进行检测和混光，这一过程可以直接剔除不良灯珠，后续无需返修，由于mip通过多合一的方式封装在一起，这样就可将转移效率提升多倍，且由于是先将多个放在一个上面然后再进行封面，从而无需对单个小的led芯片封装在大的基板上，从而精度要求也随之减低。

3、同时由于mip led器件是放置在一个基板上，目前经常使用的led芯片为倒装芯片，其为多个面都能发光，但由于底面贴近基板，从而导致该面的光线损失。

技术实现思路

1、本技术提供一种miple本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MIPLED发光单元，包括基板，其特征在于：在基板的上方设有封装层，在封装层内的基板设有一个以上的LED芯片；在基板上开设有凹槽，所述LED芯片的焊盘位于凹槽两侧的基板上；所述凹槽位于LED芯片的下方，在凹槽内设有反射层。

2.根据权利要求1所述的一种MIPLED发光单元，其特征在于：所述反射层包括一个以上的向上凸起的菱形反光件；所述菱形反光件沿着凹槽的长度方向设置。

3.根据权利要求2所述的一种MIPLED发光单元，其特征在于：所述菱形反光件为菱形反光玻璃，所述菱形反光件的壁面自菱形反光件的底端向上向内倾斜延伸至菱形反光件顶端的中心设置。

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【技术特征摘要】

1.一种mipled发光单元，包括基板，其特征在于：在基板的上方设有封装层，在封装层内的基板设有一个以上的led芯片；在基板上开设有凹槽，所述led芯片的焊盘位于凹槽两侧的基板上；所述凹槽位于led芯片的下方，在凹槽内设有反射层。

2.根据权利要求1所述的一种mipled发光单元，其特征在于：所述反射层包括一个以上的向上凸起的菱形反光件；所述菱形反光件沿着凹槽的长度方向设置。

3.根据权利要求2所述的一种mipled发光单元，其特征在于：所述菱形反光件为菱形反光玻璃，所述菱形反光件的壁面自菱形反光件的底端向上向内倾斜延伸至菱形反光件顶端的中心设置。

4.根据权利要求1所述的一种mipled发光单元，其特征在于：led芯片为倒装芯片；所述led芯片包括两个以上不同发光颜色的led芯片。

5.根据权利要求2所述的一种mipled发光单元，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：满乾才，马飞飞，桑建，陈永铭，
申请(专利权)人：广州市鸿利显示电子有限公司，
类型：新型
国别省市：