【技术实现步骤摘要】
所公开的各种实施例总体上涉及一种半导体集成电路器件，更具体地，涉及一种包括具有可变宽度的字线以改善行锤特性的半导体集成电路器件。
技术介绍
1、半导体存储器件可以包括多个字线、多个位线以及储存元件，所述储存元件连接在字线与位线之间。
2、随着半导体存储器件已变得高度集成，字线之间的间距已变得更窄，从而在字线之间产生更多耦合。
3、此外，随着字线的切换次数(或字线访问的频率)增加，(与相邻字线连接的)储存器件中的数据可以被耦合到对应的字线，从而能够产生行锤效应。行锤效应经常引起来自储存元件的数据丢失，这降低了储存元件的刷新特性。
技术实现思路
1、根据这里呈现的所公开的实施例，提供了一种半导体集成电路器件，该半导体集成电路器件包括半导体衬底、有源区以及字线。有源区由形成在半导体衬底中的隔离区限定。有源区包括至少一个接触区。字线包括主栅极和旁通栅极(pass gate)。主栅极被布置在有源区中。旁通栅极位设成远离主栅极。旁通栅极位处于隔离区中。接触区被布置在主栅极的一侧...
【技术保护点】
1.一种半导体集成电路器件，所述半导体集成电路器件包括：
2.如权利要求1所述的半导体集成电路器件，其中，所述接触区包括储存节点接触。
3.如权利要求1所述的半导体集成电路器件，其中，所述第一距离是用于引起所述字线与所述接触区之间的电荷耦合的最大距离。
4.如权利要求1所述的半导体集成电路器件，其中，所述有源区中的所述接触区包括多个区，所述接触区中的一个接触区是位于所述主栅极的第一侧处的储存节点接触，而所述接触区中的另一个接触区是位于所述主栅极的第二侧处的位线接触。
5.如权利要求4所述的半导体集成电路器件，其中，所述第...
【技术特征摘要】
1.一种半导体集成电路器件，所述半导体集成电路器件包括：
2.如权利要求1所述的半导体集成电路器件，其中，所述接触区包括储存节点接触。
3.如权利要求1所述的半导体集成电路器件，其中，所述第一距离是用于引起所述字线与所述接触区之间的电荷耦合的最大距离。
4.如权利要求1所述的半导体集成电路器件，其中，所述有源区中的所述接触区包括多个区，所述接触区中的一个接触区是位于所述主栅极的第一侧处的储存节点接触，而所述接触区中的另一个接触区是位于所述主栅极的第二侧处的位线接触。
5.如权利要求4所述的半导体集成电路器件，其中，所述第一凹陷部分位处于所述主栅极的所述第一侧处，所述主栅极还包括第二凹陷部分，所述第二凹陷部分形成在所述主栅极的第二侧处，与所述第一凹陷部分相对，以及在所述主栅极与所述位线接触之间形成第二距离。
6.一种半导体集成电路器件，所述半导体集成电路器件包括：
7.如权利要求6所述的半导体集成电路器件，其中，所述第一栅极的所述第一侧壁在第一距离内沿水平方向、竖直方向以及对角线方向中的至少一个方向围绕所述储存节点接触。
8.如权利要求7所述的半导体集成电路器件，其中，所述第一距离是用于引起所述第一栅极与所述储存节点接触之间的电荷耦合的最大距离。
9.如权利要求6所述的半导体集成电路器件，其中，包括所述第二凹陷部分的所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜锡永，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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