【技术实现步骤摘要】
实施例涉及一种用于制造半导体器件的方法。更具体地，实施例涉及一种用于使用重叠测量来制造半导体器件的方法，并且实施例还涉及使用该方法制造的半导体器件。
技术介绍
1、随着半导体器件变得高度集成，半导体器件中包括的图案的关键尺寸变得越来越精细。随着复杂的工艺和材料的应用，测量工艺的难度也随之增加。
2、重叠测量工艺是掌握衬底上的在下图案和上图案之间的对准状态(即，重叠)的工艺。针对每个图案的重叠键可以用于准确地掌握重叠。然而，由于新材料的引入和复杂的制造工艺，重叠键可能会被损坏，这可能会逐渐增加重叠测量的难度。
技术实现思路
1、实施例提供了一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成下图案，该下图案包括具有第一间距的下重叠键图案；在下图案上形成上图案，该上图案包括具有与第一间距不同的第二间距的上重叠键图案；测量下重叠键图案和上重叠键图案之间的重叠；去除上重叠键图案；以及在去除上重叠键图案之后，使用上图案作为蚀刻掩模来执行蚀刻工艺。
2、实施例还提供了一种用于...
【技术保护点】
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，测量所述重叠包括：使用由所述下重叠键图案和所述上重叠键图案形成的莫尔图案。
3.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述蚀刻工艺的蚀刻终点低于所述下图案的上表面。
4.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述下重叠键图案未被所述蚀刻工艺蚀刻。
5.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述上图案包括光刻胶。
6.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件的方法，其...
【技术特征摘要】
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，测量所述重叠包括：使用由所述下重叠键图案和所述上重叠键图案形成的莫尔图案。
3.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述蚀刻工艺的蚀刻终点低于所述下图案的上表面。
4.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述下重叠键图案未被所述蚀刻工艺蚀刻。
5.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述上图案包括光刻胶。
6.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件的方法，其中，测量所述下重叠键图案和所述上重叠键图案之间的重叠包括：执行清洁后检查aci。
7.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述第一间距和所述第二间距之间的差值为100nm至300nm。
8.一种半导体器件，所述半导体器件通过根据权利要求1所述的方法来制造。
9.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
10.根据权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，其中，去除所述上重叠键图案包括：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：李斗珪，李汀镇，郭旻哲，李承润，黄灿，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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