一种薄膜晶体管、其制作方法、显示基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管、其制作方法、显示基板及显示装置，该薄膜晶体管通过将有源层设置在源极和漏极上方，即本发明专利技术在制作薄膜晶体管时，先制作源极和漏极，再制作有源层，这样图形化源极和漏极的过程中刻蚀液不会损伤有源层，并且栅极有栅绝缘层的保护，也不会受源极和漏极刻蚀液的影响，因此本发明专利技术实施例提供的薄膜晶体管不会产生源极和漏极刻蚀液损伤其它膜层的问题。因此，相较于背沟道刻蚀型薄膜晶体管，本发明专利技术提供的薄膜晶体管的结构比较稳定，薄膜晶体管的性能大大提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示，尤其涉及一种薄膜晶体管、其制作方法、显示基板及显示装置。

技术介绍

1、现有的基于背沟道刻蚀型结构的氧化物薄膜晶体管在源漏电极层(sd)的图形化过程中，有源层容易受到刻蚀液过刻的影响，在有源层的背沟道形成大量缺陷，导致稳定性降低，严重影响器件特性。现有提升薄膜晶体管稳定性的方案，一般是在有源层上叠加一层氧化物材料进行保护，从而提升稳定性，但该方案一方面并未彻底解决背沟道刻蚀损伤的问题，同时额外使用一层氧化物材料，造成成本提升。

技术实现思路

1、本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管、其制作方法、显示基板及显示装置，用于避免基于背沟道刻蚀型的薄膜晶体管在源漏电极层图形化过程中，刻蚀液对有源层造成刻蚀损伤的问题。具体方案如下：

2、本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管，包括：衬底基板，位于所述衬底基板一侧的栅极，位于所述栅极背离所述衬底基板一侧的栅绝缘层，位于所述栅绝缘层背离所述衬底基板一侧的源极和漏极，以及位于所述源极和漏极背离所述衬底基板一侧的有源层；其中，

3、所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板一侧的栅极，位于所述栅极背离所述衬底基板一侧的栅绝缘层，位于所述栅绝缘层背离所述衬底基板一侧的源极和漏极，以及位于所述源极和漏极背离所述衬底基板一侧的有源层；其中，

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极在所述衬底基板上的正投影与所述源极和所述漏极在所述衬底基板上的正投影不交叠。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括沟道区以及位于所述沟道区两侧的第一导体化区和第二导体化区，所述源极和所述第一导体化区电连接，所述漏极和所述第二导体化区电连接；</p>

4.如权...

【技术特征摘要】

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板一侧的栅极，位于所述栅极背离所述衬底基板一侧的栅绝缘层，位于所述栅绝缘层背离所述衬底基板一侧的源极和漏极，以及位于所述源极和漏极背离所述衬底基板一侧的有源层；其中，

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极在所述衬底基板上的正投影与所述源极和所述漏极在所述衬底基板上的正投影不交叠。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括沟道区以及位于所述沟道区两侧的第一导体化区和第二导体化区，所述源极和所述第一导体化区电连接，所述漏极和所述第二导体化区电连接；

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述栅极在所述衬底基板上的正投影范围内。

5.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄杰，李正亮，宁策，胡合合，姚念琦，赵坤，李菲菲，付续，黄睿，郭晖，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：