半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：在衬底上形成焊垫复合材料层，焊垫复合材料层包括第一阻挡层、焊垫材料层；在焊垫复合材料层表面形成无机抗反射层和位于无机抗反射层表面的光刻胶材料层；图形化光刻胶材料层，形成光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，采用第一干法刻蚀工艺，刻蚀无机抗反射层和焊垫复合材料层，直到暴露出第一阻挡层，在无机抗反射层和焊垫复合材料层内形成凹槽，以焊垫材料层形成焊垫层；在第一干法刻蚀工艺之后，去除光刻胶层；在去除光刻胶层之后，采用第二干法刻蚀工艺，刻蚀无机抗反射层和凹槽底部的第一阻挡层，以去除无机抗反射层以及凹槽底部的第一阻挡层，在提高形成的焊垫层线条精度的同时，避免增加焊垫层电阻的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

1、随着半导体集成电路制造的快速发展，芯片制造过程对工艺线宽尺寸、线边缘粗糙度（line width roughness，缩写为lwr）以及电阻的要求越来越严格，降低电阻，提高线宽精度成为提高半导体器件性能的重要手段。

2、在光刻过程中，当光穿过光刻胶到达高反射特征材料时，会出现光反射，导致需要曝光图案外部的光刻胶曝光，因此，会导致光刻图案精度降低，线边缘粗糙度很差。

3、目前金属铝铜（alcu）作为顶层封装键合块材料，与外部电路连接键合，被广泛应用于半导体逻辑产品和存储产品制造中。传统的顶层金属铝铜焊盘（pad）工艺结构包括氮化钛/铝铜/氮化钛结构，底层氮化钛（tin）作为金属黏附阻挡层，在光刻过程中，顶层氮化钛作为抗反射层的效果较差，容易产生线条精度偏差问题。

4、因此，现有的顶层金属铝铜焊盘的形成工艺有待进一步改善。

技术实现思路

1、本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，以提高本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述焊垫复合材料层还包括：位于所述焊垫材料层表面的第二阻挡层；所述凹槽还位于所述第二阻挡层内；所述第二干法刻蚀工艺中，在去除所述凹槽底部的所述第一阻挡层的同时，去除所述无机抗反射层和所述第二阻挡层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二阻挡层的材料包括氮化钛。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二阻挡层的厚度小于所述第一阻挡层的厚度。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述焊垫复合材料层还包括：位于所述焊垫材料层表面的第二阻挡层；所述凹槽还位于所述第二阻挡层内；所述第二干法刻蚀工艺中，在去除所述凹槽底部的所述第一阻挡层的同时，去除所述无机抗反射层和所述第二阻挡层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二阻挡层的材料包括氮化钛。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二阻挡层的厚度小于所述第一阻挡层的厚度。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡层的厚度范围为50nm至120nm；所述第二阻挡层的厚度范围为20nm至80nm。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述无机抗反射层的厚度范围为20nm至60nm。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二干法刻蚀工艺对所述无机抗反射层和所述第一阻挡层的刻蚀选择比范围为3:1至10:1。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述无机抗反射层的材料包括氮氧化硅；所述第一阻挡层的材料包括氮化钛或氮化坦。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二干法刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀气体包括cl2、cf4、bcl3中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周鲁豪，吴永玉，陶然，王江红，黄天哲，
申请(专利权)人：浙江创芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：