【技术实现步骤摘要】
本申请涉及成膜，尤其涉及一种成膜冷却装置及成膜设备。
技术介绍
1、成膜技术是一种在基材表面形成一层或多层薄膜的工艺，这些薄膜可以是金属、半导体或者其他化合物材料。成膜技术可以广泛应用于光学器件、半导体器件或者新能源汽车领域。
2、在成膜过程中，附着在成膜基材表面的用于成膜的材料的温度较高，会引起基材表面发生褶皱、变形等问题。因此，会在成膜过程中采用将成膜基材贴合在冷却装置表面上的方式，对成膜基材进行冷却。然而，冷却装置表面与成膜基材之间的贴合力较弱，影响冷却装置对成膜基材的冷却效果。
技术实现思路
1、本申请旨在至少解决
技术介绍
中存在的技术问题之一。为此，本申请的一个目的在于提供一种成膜冷却装置及成膜设备，以解决冷却装置与成膜基材之间的贴合力较弱的问题。
2、本申请第一方面的实施例提供一种成膜冷却装置，包括：冷却主体，具有容纳腔，冷却主体用于承载成膜基材，并且用于对附着于成膜基材上的材料进行冷却，成膜基材具有导电性；磁性部件，位于容纳腔内，磁性部件被构造为能够对成...
【技术保护点】
1.一种成膜冷却装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的成膜冷却装置，其特征在于，所述磁性部件包括电磁线圈或者磁体中的至少一者。
3.根据权利要求2所述的成膜冷却装置，其特征在于，所述磁性部件包括所述电磁线圈，所述电磁线圈沿所述容纳腔的轴向螺旋盘绕。
4.根据权利要求3所述的成膜冷却装置，其特征在于，所述电磁线圈包括沿所述容纳腔的轴向排布并且彼此独立的至少两部分，所述至少两部分包括相邻的第一部分以及第二部分，所述第二部分相较于所述第一部分更靠近所述容纳腔的轴向上的端部。
5.根据权利要求4所述的成膜冷却装置，其...
【技术特征摘要】
1.一种成膜冷却装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的成膜冷却装置，其特征在于，所述磁性部件包括电磁线圈或者磁体中的至少一者。
3.根据权利要求2所述的成膜冷却装置，其特征在于，所述磁性部件包括所述电磁线圈，所述电磁线圈沿所述容纳腔的轴向螺旋盘绕。
4.根据权利要求3所述的成膜冷却装置，其特征在于，所述电磁线圈包括沿所述容纳腔的轴向排布并且彼此独立的至少两部分，所述至少两部分包括相邻的第一部分以及第二部分，所述第二部分相较于所述第一部分更靠近所述容纳腔的轴向上的端部。
5.根据权利要求4所述的成膜冷却装置，其特征在于，在沿所述容纳腔的轴向上，所述第一部分的长度大于所述第二部分的长度。
6.根据权利要求4所述的成膜冷却装置，其特征在于，所述至少两部分还包括第三部分，所述第三部分位于所述第一部分远离所述第二部分的一侧。
7.根据权利要求6所述的成膜冷却装置，其特征在于，在沿所述容纳腔的轴向上，所述第一部分的长度大于所述第三部分的长度。
8.根据权利要求4所述的成膜冷却装置，其特征在于，所述至少两部分分别连接不同电源。
9.根据权利要求3所述的成膜冷却装置，其特征在于，沿所述容纳腔的轴向上，所述电磁线圈的至少一个端部上的匝数密度大于中间部分的匝数密度，所述匝数密度为单位长度内所述电磁线圈的匝数。
10.根据权利要求2-9中任一项所述的成膜冷却装置，其特征在于，所述磁性部件包括电磁线圈和磁体，所述磁体具有极性不同的两个磁极，所述两个磁极分别位于所述磁体的沿所述容纳腔轴向上的两端，至少部分所述电磁线圈螺旋盘绕于所述磁体的外周。
11.根据权利要求2-9中任一项所述的成膜冷却装置，其特征在于，所述磁性部件包括磁体，所述磁体具有极性不同的两个磁极，所述两个磁极分别位于所述磁体的沿所述容纳腔轴向上的两端。
12.根据权利要求1-9中任一项所述的成膜冷却装置，其特征在于，所述冷却主体为环状，所述磁性部件沿所述容纳腔的轴向延伸，在沿垂直于...
【专利技术属性】
技术研发人员：李铭领，刘欣，黄起森，刘向辉，蔡启果，李铖，
申请(专利权)人：宁德时代新能源科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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