一种用于抗辐射的TVS器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种用于辐射加固瞬态电压抑制器件(TVS)的制造方法，通过对传统硅局部氧化工艺的改良优化，在不影响TVS器件面积、电学特性和电流能力的条件下，显著提升器件的抗辐射性能，抑制TVS器件由于辐射效应导致的漏电流增大和击穿电压降低等不良影响，提高TVS器件在航天、空间应用等辐射环境中的电学特性稳定性。本发明专利技术提出的辐射加固TVS器件制造方法与传统工艺兼容，通过刻蚀掉传统硅局部氧化工艺高温快速生长的厚氧化层，并在此之后低温慢速生长厚度为的薄氧化层，从而达到降低氧化层内缺陷密度、减薄氧化层厚度的目的，使得器件受到辐射的影响大幅度降低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造，涉及一种用于抗辐射瞬态电压抑制器(transient voltage suppressor，简称为tvs)的制造方法。进一步说是通过设计一种针对tvs器件的抗辐射加固工艺从而使其达到具有抗辐射性能的效果。

技术介绍

1、tvs管是一种重要的半导体保护器件，开启时具有极低的电阻值，可以吸收高达数千瓦的瞬态脉冲功率，并将端口的电压钳位在一个较为安全的预设值，从而保护相应电路免受由于瞬态电压脉冲或电流浪涌带来的损伤甚至不可逆的损坏。tvs器件具有响应速度快、漏电小、瞬态功率高、体积小等特点，目前已经广泛应用于机电系统、电源设备、电磁干扰抑制、输入输出接口、通讯设备、继电器等各个领域的过压保护。

2、在空间应用领域，由于受到宇宙空间辐射环境的影响，电离辐射产生的电荷可能会导致器件中的介质材料产生不稳定的缺陷，特别是在标准局部硅氧化(local oxidationof silicon，简称为locos)工艺中需要高温退火生长的二氧化硅，如图1所示，这些由于总电离剂量辐射效应(total-ionizing-dose,简称tid)造本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于抗辐射的TVS器件的制造方法，其特征在于包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种用于抗辐射的TVS器件的制造方法，其特征在于：高温生长是指温度在1000-1200℃，低温是指温度在900℃及以下。

3.根据权利要求1所述的一种用于抗辐射的TVS器件的制造方法，其特征在于：步骤S2的LOCOS工艺步骤换成STI工艺步骤。

4.一种用于抗辐射的TVS器件的制造方法，其特征在于包括如下步骤：

5.根据权利要求4所述的一种用于抗辐射的TVS器件的制造方法，其特征在于：高温生长是指温度在1000-1200℃，低温是指温度在900℃及以...

【技术特征摘要】

1.一种用于抗辐射的tvs器件的制造方法，其特征在于包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种用于抗辐射的tvs器件的制造方法，其特征在于：高温生长是指温度在1000-1200℃，低温是指温度在900℃及以下。

3.根据权利要求1所述的一种用于抗辐射的tvs器件的制造方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐钊，陈泓全，贾义睿，魏敬齐，周锌，乔明，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：