非线性栅极垂直晶体管制造技术

一种具有非线性栅极氧化物半导体边界布局的沟槽晶体管及其制造方法。沟槽晶体管包括栅极区；与栅极区相邻的氧化物区；与氧化物区相邻的半导体区。半导体区包括沿着栅极氧化物半导体边界的沟道体区。沟道体区被配置为当晶体管导通时沿着栅极氧化物半导体边界传导电流。栅极氧化物半导体边界具有非线性形状。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种沟槽晶体管及其制造方法。特别地，本专利技术涉及沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管，其中栅极区具有与晶体管的沟道区相邻的非线性(nonlinear)边界。

技术介绍

1、沟槽晶体管，例如沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，是已知类型的晶体管。图1示出了已知的沟槽mosfet

2、100的一个示例。例如在“trench gate power mosfet:recent

3、advances and innovations”(raghvendra sahai等人)in advances in

4、microelectronics and photonics(2012)中描述了沟槽mosfet。晶体管100包括第一导电类型的半导体衬底102和布置在半导体衬底102上的第一导电类型的外延层104。在外延层104中形成沟槽区106。沟槽区106在其内部覆盖有氧化物层108，并且填充有形成栅极110的一种或多种材料。在沟槽区106中可以存在另外的材料111。材料111可以是例如多晶硅或任何其它合适的材料。材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种沟槽晶体管，包括：

2.根据权利要求1所述的沟槽晶体管，其中，所述非线性形状包括分段线性形状。

3.根据权利要求2所述的沟槽晶体管，其中，所述分段线性形状包括周期性矩形形状。

4.根据前述权利要求中任一项所述的沟槽晶体管，其中，所述氧化物区紧邻所述栅极区。

5.根据前述权利要求中任一项所述的沟槽晶体管，其中，所述半导体区与所述氧化物区直接相邻。

6.根据前述权利要求中任一项所述的沟槽晶体管，其中，所述沟槽晶体管是沟槽栅功率金属氧化物半导体场效应晶体管。

7.根据前述权利要求中任一项所述的沟槽晶体管，其中，所述...

【技术特征摘要】

1.一种沟槽晶体管，包括：

2.根据权利要求1所述的沟槽晶体管，其中，所述非线性形状包括分段线性形状。

3.根据权利要求2所述的沟槽晶体管，其中，所述分段线性形状包括周期性矩形形状。

4.根据前述权利要求中任一项所述的沟槽晶体管，其中，所述氧化物区紧邻所述栅极区。

5.根据前述权利要求中任一项所述的沟槽晶体管，其中，所述半导体区与所述氧化物区直接相邻。

6.根据前述...

【专利技术属性】
技术研发人员：迪帕克·钱德拉·潘迪，许志维，
申请(专利权)人：安世有限公司，
类型：发明
国别省市：